Досліджено фотовольтаїчний ефект у структурах метал - тонкий шар поруватого кремнію - кремній та показано, що поруватий кремній відіграє роль тунельно-прозорого діелектрика в зазначених структурах. Обгрунтовано методику визначення рекомбінаційних характеристик межі поділу поруватий кремній - кремній на підставі аналізу спектральних залежностей фотоструму за умов освітлення тильної поверхні p - n переходу. Визначено швидкість рекомбінацій на межі поділу у повітрі та вологій атмосфері. Завдяки числовому моделюванню одержано параметри фотоперетворення таких елементів. Запропонована технологія дозволяє уникнути фотолітографічного процесу під час формування контактної гребінки на фронтальній поверхні елемента. Експериментально показано "асиметрію" впливу полярності магнітного поля, прикладеного паралельно поверхні, на фоточутливість кремнієвих гетероструктур з тонкими шарами поруватого кремнію. Зроблено припущення, що зменшення фоточутливості у разі відхилення надлишкових носіїв магнітним полем до освітлюваної поверхні поруватого кремнію, зумовлене зміною темпу рекомбінації на межі поділу поруватий кремній - кремній за моделлю Стівенсона - Кейса. Зазначені структури можна використовувати як функціональні елементи мікроелектроніки.

  Завантажити