З'ясовано роль часткових дислокацій у формуванні структури кристалів сульфіду та селеніду цинку у процесі їх вирощування з розплаву, а також закономірності та вплив на фізичні властивості кристалів взаємодії нерухомих дислокацій з електронною підсистемою. Доведено, що формування структури кристалів сульфіду цинку відбувається в результаті мартенситних перетворень. Виявлено та досліджено ефект стимульованого пластичною деформацією аномального збільшення електричної провідності кристалів ZnS і ZnSe. Доведено, що за умов зсуву ростових дислокацій в атмосферах Коттрелла відбувається збільшення їх електричної активності, що пояснює особливості різних властивостей кристалів сульфіду цинку, спостережувані в області малих деформацій. Запропоновано один з механізмів деградації електролюмінесцентних властивостей досліджених матеріалів. Установлено факт збільшення електричного заряду нерухомих дислокацій за умов збудження електронної підсистеми кристалів сульфіду цинку.

  Завантажити