Досліджено фізичні властивості домішкових і дефектних центрів у 6H, 4H та 3C SiC методами високочастоного/високопольового (ВЧ/ВП) електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) і подвійного електронного ядерного резонансу (ПЕЯР). На основі вивчення ВЧ/ВП спектрів ЕПР і ПЕЯР донорів азоту, їх температурних закономірностей і концентраційної поведінки визначено електронну структуру, енергетичні характеристики та тип вузла, який заміщує донори азоту в 6H та 4H-SiC. Проаналізовано низькотемпературний стрибковий механізм делокалізації електронів в 4H та 6H SiC, сильно легованих азотом. Досліджено дві групи спектрів ЕПР і ПЕЯР фосфору в 6H SiC, що відрізняються величиною та характером надтонкої взаємодії (НТВ). Обгрунтовано модель центрів фосфору та їх енергетичні характеристики. Вивчено спектри ЕПР бору на частоті 140 ГГц у 6H, 4H та 3C SiC від 4.2 до 100 К. Виявлено відмінність у механізмі дефектоутворення в 6H та 4H-SiC з порушеним стехіометричним складом. Досліджено рекомбінаційні процеси, які відбуваються у напівізолюючому матеріалі 4H-SiC під час фотозбудження. Встановлено, що дефектом, який відповідає за час життя неосновних носіїв заряду в напівізолюючому 4H SiC є вакансія кремнію в зарядовому стані 3- донорного характеру.

  Завантажити