Досліджено механізм процесу росту нітридних плівок на кристалічних підкладках, одержаних за методом іонної імплантації (ІІ), які задовільно узгоджуються з експериментальними даними стосовно кінетики росту плівок. На підставі порівняльного аналізу результатів показано відмінність у структурі, фазовому складі, кінетиці росту та властивостях нітридних плівок на підкладках Si, Ni, Mo, W, Ti і Ta за використання методів напилювання ІІ, конденсації з іонним бомбардуванням (КІБ) і ВЧМР. Визначено структурно-фазовий стан, кінетику росту та властивості нітридних плівок у системах W - N, Mo - N і Ni - N. Установлено істотне підвищення (у 2 - 10 разів) адгезії нітридних плівок, одержаних з використанням методів ІІ та КІБ у порівнянні з плівками, отриманими за ВЧМР. Здійснено оцінку гетероепітаксійної температури у системах Si - AlN, Si - TiN.

  Завантажити