| Даценко О.І. Формування шарів поруватого кремнію з високим квантовим виходом фотолюмінесценції : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / О.І. Даценко ; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 1999. — 16 с. — укp.Викладено експериментальні результати дослідження проблеми збільшення ефективності фотолюмінесценції (ФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), вивчення еволюції люмінесцентних властивостей поруватого шару на повітрі. Показано, що введення напружень у кремнієву підкладку перед анодуванням є ефективним методом підвищення квантового виходу ФЛ ПК. Описано методику післяанодної хімічної обробки ПК в HF з наступним окисненням зразків на повітрі, яка дозволяє отримувати зразки з квантовим виходом ФЛ до 20%. Виявлено, що реакції окиснення поруватої структури протікають, переважно, в поверхневому шарі ПК, що пояснює специфіку зміни люмінесцентних властивостей зразків, експонованих на повітрі. Запропоновано на розгляд дві моделі ФЛ поруватої структури: механізм сенсибілізованої ФЛ квантово-розмірного кристаліту, вкрапленого в окисел - сенсибілізатор, та модель збудження і рекомбінації в гетеропереході "кремній - кремнієва сполука". Зроблено висновок, що люмінесцентні властивості ПК є нестабільними і в значній степені залежать від умов зберігання зразків. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022
Рубрики:
|