Створено комп'ютеризований сумісний фототермоакустичний (ФТА) та фотоелектричний (ФЕ) мікроскоп, принцип дії якого базується на використанні одночасно збуджених теплових хвиль і хвиль нерівноважних електронно-діркових пар як носіїв інформації про властивості напівпровідників. Вивчено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Одержано ФТА та ФЕ топограми. Досліджено пластини кремнію, імплантовані іонами за методами ФТА мікроскопії та виміру зміни коефіцієнта відбиття напівпровідників під дією модульованого лазерного опромінювання. Проведено порівняльний аналіз ФТА та ФЕ зображень вказаних структур на підставі результатів якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають за умов технологічного циклу їх виготовлення.

  Завантажити