Уперше запропоновано використання реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором для створення первинних перетворювачів тиску, що працюють за приципом "тиск - частота". Удосконалено фізико-математичну модель деформаційних ефектів у напівпровіднику, у якій враховано залежності основних електрофізичних параметрів кремнію від тиску, що є підставою для аналітичного визначення впливу тиску на напівпровідникові прилади, зокрема, на біполярні та МДН-транзистори. Розроблено математичні моделі тензочутливих біполярних і МДН-транзисторів, базуючись на залежностях електричних параметрів та характеристик транзисторів від тиску, що обумовило розробку автогенераторних вимірювальних перетворювачів тиску на основі транзисторних структур. Створено математичні моделі частотних мікроелектронних перетворювачів тиску, які передбачають врахування впливу тиску на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів на базі біполярних та МДН-транзисторних структур з від'ємним опором, що дало змогу одержати функції перетворення тиску і рівняння чутливості перетворювачів.

  Завантажити