| Гуцул І.В. Явища електро- та теплопереносу в анізотропних напівпровідниках : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / І.В. Гуцул ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2000. — 36 с. — укp.Розроблено теорію явищ переносу в анізотропних напівпровідникових кристалах типу p-Ge і детально проаналізовано можливості анізотропних оптикотермоелементів (АОТ), які використовуються для реєстрації променевих потоків різної потужності та непервного контролю за ними. За допомогою методу параметра анізотропії розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge з урахуванням реальної структури енергетичного спектра та специфіки механізмів розсіяння на іонізованих домішках, акустичних, оптичних фононах і дислокаціях за наявності електричного і магнітного полів та градієнта температури. Одержано аналітичні вирази функції розподілу легких та важких дірок Ge, проведено дослідження температурних і польових залежностей рухливості, коефіцієнта Холла, холл-фактора, диференціальної термоедс, а також впливу ефекту фононного захоплення на величину термоедс. Проведено дослідження поперечної термоедс, ККД і вольт-ватної чутливості АОТ для антипаралельних і паралельних напрямків градієнта температури. Побудовано метод розрахунку двомірного розподілу температури в об'ємі АОТ з врахуванням оптичного поглинання. Досліджено вплив двомірного розподілу температури та термоедс і вольт-ватну чутливість АОТ за відповідних крайових умов для режимів оптичного пропускання, об'ємного та поверхневого поглинань. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 Шифр НБУВ: РА313265 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|