Досліджено квантові розмірні ефекти у тонких плівках телуриду свинцю та вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, одержаних за методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди. Вивчено електрофізичні, гальваномагнітні та термоелектричні властивості залежно від товщини тонких шарів (d = 1 - 600 нм), температури (80 - 300 К) і різних чинників (концентрації носіїв заряду, температури підкладки, складу шихти, наявності або відсутності захисного покриття), які впливають на характер прояву розмірного квантування енергетичного спектра носіїв заряду. За результатами досліджень установлено, що залежності кінетичних коефіцієнтів від товщини тонких плівок PbTe та Bi і тонких шарів Bi у гетероструктурах PbTe/Bi мають коливний характер, що доводить наявність дискретної структури енергетичного спектра. Установлено добру відповідність результатів теоретичного розрахунку періоду осциляцій експериментальним даним.

  Завантажити