Розроблено наукові та технологічні засади швидкісного вирощування великих кристалів, придатних для використання в мегаджоульних лазерних системах. Досліджено вплив комплексу фізико-хімічних параметрів розчинів на процеси стійкого швидкісного росту: оптичну та структурну однорідність і лазерну міцність великих кристалів KDP/DKDP. Визначено характер розподілу мікродомішок у кристалі, які призводять до виникнення внутрішніх напружень у кристалі. Обгрунтовано основні переваги розробленого методу вирощування кристалів, які полягають у використанні постійної температури кристалізації та створенні умов моносекторіального вирощування кристалів, які блокують розростання призми. Визначено гідродинамічні умови масопереносу в кристалізаторі, які забезпечують ефективне підживлення кристала. Розроблено технологію синтезу первинної сировини для швидкісного вирощування великих кристалів KDP. Визначено умови та вирощено кристали KDP у напрямку заданого кута синхронізму, що дозволяє підвищити коефіцієнт використання матеріалу до 90 %. Розроблено ефективні способи термообробки кристалів, що підвищують оптичну однорідність і лазерну міцність.

  Завантажити