За результатами експериментальних досліджень установлено, що ефективність генерації вільних вакансій в n-Si у разі електронного опромінення в діапазоні температур 300 - 630 K практично не змінюється. Виявлено взаємодію вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними й оптичними фононами, в результаті якої збільшуються втрати ним енергії. Експериментально доведено, що результат одночасної дії опромінення та високої температури на стан радіаційних дефектів у кремнії нееквівалентний сумі результатів послідовної дії цих факторів. Установлено, що додаткова іонізація кристала радіацією за умов високотемпературного опромінення значно прискорює відпал A-центрів.

  Завантажити