Досліджено процеси дефектоутворення у плівках CdTe шляхом порівняння результатів моделювання з даними комплексного вивчення структурних та електрофізичних характеристик моно- та полікристалічних шарів матеріалу, одержаних методом квазізамкненого об'єму (КЗО) за умов, наближених до термодинамічно рівноважних. Розроблено та реалізовано універсальний підхід до опису процесів дефектоутворення у телуриді кадмію, в якому враховано найбільш повний спектр точкових дефектів матеріалу. З використанням даного підходу та результатів розрахунків термодинамічних параметрів дефектоутворення "ab initio", проведено моделювання ансамблю власних дефектів у плівках CdTe для випадків повної рівноваги та гартування залежно від фізико-технологічних умов їх вирощування. Під час моделювання враховано процеси перенесення в'язкої пари компонентів з'єдання від випарника до підкладки, що відбуваються у разі конденсації у КЗО. Розрахунки проведено для різних наборів енергій іонізації власних дефектів з використанням результатів експериментального вивчення параметрів локалізованих станів (ЛС) у плівках методом аналізу ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом і залежностей провідність - температура. На відміну від традиційного підходу оптимізацію параметрів дефектоутворення проведено шляхом порівняння результатів моделювання електричними (концентрація носіїв і ЛС дефектів, провідність, положення рівня Фермі) та зі структурними (стехіометрія, період гратки, рентгенівська густина) характеристиками плівок.

  Завантажити