Досліджено фотоелектрохімічні процеси на модифікованих GaAs- та InP-електродах. Розкрито можливості використання модифікованих електродів у фотоелектрохімічних системах для перетворення сонячного світла й акумулювання водню. Розроблено методику модифікування поверхні GaAs- та InP-електродів наночастками Au, CdS, фуллеритами та Zn. Показано, що фотоелектрохімічні процеси на GaAs- та InP-електродах відбуваються за участю поверхневих електронних станів, а модифікування поверхні обумовлює зменшення їх концентрації та рекомбінаційних втрат носіїв заряду та посилення фотокаталітичної активності поверхні, що сприяє зростанню ефективності фотоперетворення. Показано, що модифіковані GaAs-фотоаноди у сполученні з катодами на основі сплавів La-Ni-Co-Al є ефективними матеріалами для перетворення енергії сонячного світла з акумулюванням водню.

  Завантажити