Розроблено фізичну та математичну модель процесів, що відбуваються в напівпровідникових детекторах під час взаємодії з gamma-випромінюванням. Проаналізовано, що введення фактора захоплення до залежності ширини піка повного поглинання від енергії gamma-випромінювання дозволило одержати кількісний збіг розрахованих і виміряних амплітудних спектрів CdTe (CdZnTe) детекторів як в області переважання фотоефекту, так і в області домінування комптонівського розсіяння. Розроблено методику відновлення функцій відгуку CdTe (CdZnTe) детекторів за умов значних рівнів теплових шумів і флуктуацій захоплення заряду. Визначено межові рівні еквівалентного шумового заряду в приладах для спектрометрії та дозиметрії gamma-випромінювання, де використовується CdTe (CdZnTe) детектори. Розроблено методику визначення параметрів переносу носіїв заряду в високоомних детекторах без порушення їх працездатності.

  Завантажити