Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень дії потужних імпульсних електромагнітних полів на сучасні мікросхеми. Експериментальні дослідження проведено у хвилевідному тракті для мікроконтролерів, мікросхем пам'яті, аналого-цифрових і цифрово-аналогових перетворювачів (АЦП і ЦАП), мікроскладань приймачів і передавачів. За результатами експериментальних досліджень визначено межові значення збоїв і катастрофічних відмов мікросхем, одержано статистичні дані щодо виходу з ладу мікроструктурних елементів, зроблено рекомендації щодо підвищення стійкості мікросхем до даного виду впливу. Розроблено числово-аналітичну модель взаємодії імпульсних електромагнітних полів із мікроструктурними елементами кристалу сучасних мікросхем, що містить розв'язання дифракційної задачі для мікросхеми у хвилеводі та електротеплову модель кристалу сучасних мікросхем з багатошаровою металізацією.

  Завантажити