Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20100525001315<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Цимбал В.О. Стабільність контрактно-металізаційних систем у приладах з бар'єром Шотткі : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / В.О. Цимбал ; Харк. нац. ун-т радіоелектрон. — Х., 2010. — 20 с. — укp.Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + З852.2 + Шифр НБУВ: РА370080 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|