Розроблено загальну математичну постановку двовимірної осесиметричної задачі радіаційно-конвективного теплообміну кристалізаційної установки з урахуванням селективності оптичних властивостей напівпрозорих матеріалів. Проведено розрахунки та вивчено процеси кристалізації в системі кристал-розплав з властивостями оксидних і лужно-галоїдних кристалів з урахуванням селективності їх коефіцієнтів поглинання та з використанням сітки, що динамічно перебудовується. Проаналізовано спрощені варіанти глобальних чисельних моделей для застосування їх під час оперативного контроля ходу процесів направленої кристалізації. Показано, що регулювання радіаційного тепловідводу від розплаву шляхом екранування або введення поглинальних домішок є ефективними методами керування тепловими режимами процесів вирощування кристалів.

  Завантажити