| Бачеріков Ю. Ю. Вплив низькоенергетичної дії на структурні перетворення і енергетичний спектр дисперсних матеріалів : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. Ю. Бачеріков ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2010. — 32 с. — укp.Досліджено закономірності впливу на люмінесцентні характеристики та мікроструктурні перетворення процесів, обумовлених низькотемпературним легуванням, і рядом інших низькоенергетичних зовнішніх впливів у дисперсійних двох компонентних матеріалах. Розглянуто процеси впровадження Ga у ZnS, а також вплив зовнішніх факторів, що призводять до зміни величини вільної енергії компонент, на ефективність низькотемпературного легування порошкоподібного ZnS галієм. Показано, що першочергове введення домішок Іn або Ga викликає перекриття придислокаційного каналу дифузії міді. Встановлено, що Mn дифундує у порошкоподібному ZnS за Т=300 К. Встановлено механізми його дифузії та динаміку перетворення випромінювальних центрів, обумовлених Мn. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + З85-03 Шифр НБУВ: РА372650 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|