Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20110405011418<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Братченко М. І. Кінетичний опис та математичне моделювання імплантації йонів у кристали : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.02 / М. І. Братченко ; Харк. фіз.-техн. ін-т НАН України. — Х., 2010. — 19 с. — укp.Сформульовано загальний підхід щодо проблеми як до спільної кінетики каналювання та хаотичного руху, що описується зв'язаною системою рівнянь Чепмена-Колмогорова. Розроблено нову методику дослідження імплантації йонів у кристали методом комп'ютерного експерименту. Розв'язано задачу про деканалювання йонів низьких енергій й одержано аналітичне рішення для функції деканалювання. Вперше введено режим метаканалювання, що відповідає динамічно стійкому каналюванню йонів зі зниженими щодо рівня аморфної середи питомими втратами енергії. Розроблено феноменологічну модель опису профілів імплантації йонів у кристали. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В382.17 в641.8,022 + В372.31 в641.8,022 Шифр НБУВ: РА373170 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|