| Сняла Ю. Ю. Природа точкових дефектів кадмій телуриду, легованого елементами V групи : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Ю. Ю. Сняла ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2010. — 18 с. — укp.Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.11 + В379.222,022 Шифр НБУВ: РА371072 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|