Визначено кінетику нагромадження і розподіл в об'ємі дефектів та іонноімплантованих атомів важких інертних газів. Встановлено концентраційні та температурні інтервали, за яких іонноімплантовані в нікель атоми великого радіуса можуть займати положення заміщення. Показано, що за утворення розщеплених конфігурацій вакансійно-домішкових комплексів, окрім розмірного чинника, грає роль вид міжатомного потенціалу (хімічний зв'язок). Запропоновано механізм сегрегації дейтерію в області залягання максимумів пошкоджень та домішки за рахунок його дифузії з шарів кристала, що розташовані на глибинах, більших за (пробіг + страглінг), де дейтерій був захоплений в процесі впровадження.

  Завантажити