Встановлено оптимальні температурні режими одержання гетерошарів з відтворюваними параметрами та характеристиками. Показано, що процес ізовалентного заміщення (ІВЗ) має дифузійний характер, визначено коефіцієнт і енергію активації дифузії кисню в селеніді цинку. Визначено енергії іонізації електрично активних центрів в об'єктах досліджень. Досліджено електричні та фотоелекричні характеристики вперше виготовлених гетеропереходів p-ZnO/n-Zn-Se. Виявлено, що гетерошари ZnO складаються з сильнодеформованих нанокристалітів, середні розміри яких складають 300 і 40 нм для ІВЗ і ФТО шарів. Показано, що крайове випромінювання обумовлене декількома рекомбінаційними каналами - анігіляцією вільних і зв'язаних екситонів, переходами за участю мілких рівнів і донорно-акцепторних пар. Встановлено, що низькоенергетичні смуги люмінесценції визначаються переходами через глибокі рівні, які утворені власними точковими дефектами.

  Завантажити