Вперше експериментально проведено комплексні одночасні вимірювання рентгенопровідності та рентгенолюмінесценції ZnSe, фотопровідності та фотолюмінесценції, релаксації струму та фосфоресценції за різних температур, термостимульованої люмінесценції та термостимульованої провідності моно- та полікристалічних зразків ZnSe. Виявлено кореляції в залежностях термостимульованої провідності та люмінесценції ZnSe, за реєстрації фосфоресценції та релаксації струму. Спостережено значну відмінність в характері провідності та люмінесценції в залежності від типу збудження. Розроблено теоретичну модель для розрахунку просторового розподілу згенерованих електронно-діркових пар, що виникають за умов поглинання в напівпровіднику рентгенівського кванту. Розраховано власне електричне поле "гарячих" носіїв заряду та розглянуто його вплив на динаміку зміни їх дрейфової швидкості. Запропоновано кінетичну модель рентгенопровідності напівпровідників, яка враховує наявність пасток і центрів рекомбінації в кристалі та розраховує форму імпульсу струму рентгенопровідності в зовнішньому електричному колі напівпровідникового детектора.

  Завантажити