Уперше визначено критичну товщину контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу (Su - Bi, Ge - Au), тобто товщину плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази в системі за евтектичної температури не відбувається. Уперше встановлено залежність температури плавлення евтектики Ge - Au на аморфній вуглецевій підкладці від товщини шаруватої плівкової системи евтектичного складу. Уперше показано, що під час плавлення початкових вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn - Bi евтектичного складу, які ростуть на аморфних вуглецевих підкладках за кімнатної температури за механізмом Фольмера - Вебера, формуються острівцеві системи, у яких коефіцієнт заповнення підкладки є немонотонною функцією масової товщини.

  Завантажити