Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за умов дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.

  Завантажити