Досліджено температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів HIH GaAs. Розглянуто вплив часу термообробки, а також часу охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією та структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлено вплив стехіометрії на електрофізичні властивості HIH GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Висвітлено перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їх щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p-n структур HIH GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання та структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом рідкофазної епітаксії, з використанням ізовалентного металу -розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

  Завантажити