| Бут А. В. Цілеспрямована стимуляція перебудови полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Бут ; НАН України ; Ін-т електрофізики і радіац. технологій. — Х., 2011. — 20 с. — укp.Наведено результати досліджень структурних, оптичних, фотоелектричних і фотодіелектричних характеристик кристалів CdZnTe і ZnSe:Te, для обробки яких розроблено нові засоби (алгоритми, програми, пристрої), що базуються на сигнатурному та вейвлет-аналізах. Запропоновано нові інтегративні показники стійкості, що відображають стабільність структури електрофізичних характеристик кристалів і надають можливість системно аналізувати її перебудову під впливом зовнішніх чинників. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 в641,022 + В379.27 в641,022 Шифр НБУВ: РА382459 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|