![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>K=П'ЄЗО<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 24
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / ред.: Я. С. Буджак. - Л., 2001. - 151 с. - (Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"; N 427). - укp.Наведено математичні моделі зростання шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, за яких швидкість зростання визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці. Досліджено газодинамічні процеси у реакторах та зростання шарів. Розглянуто питання про новий метод у теорії кінетичних властивостей кристалів. Наведено комп'ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п'єзо-термо-електрорушійних сил у мікрокристалах кремнію р-типу провідності за нестаціонарних температур і тиску. Висвітлено вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Розглянуто еволюцію дефектів структури в кристалах червоного дифосфіду цинку за умов опромінення та відпалу методом анігіляції позитронів та ідентування. За допомогою сучасної кінетичної теорії визначено природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку. Індекс рубрикатора НБУВ: З852я54(4УКР)3
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Ткачов В. В. Технічні засоби автоматизації : навч. посіб. / В. В. Ткачов, В. П. Чернишев, М. М. Одновол; Нац. гірн. ун-т. - Д., 2008. - 174 c. - Бібліогр.: с. 174. - укp.Розкрито суть основних понять і визначень автоматики, охарактеризовано фізичні принципи роботи первинних перетворювачів, зокрема, параметричних, резисторних, індуктивних, трансформаторних, генераторних, термоелектричних, індукційних, п'єзо- та фотоелектричних, електроконтактних, ультразвукових, волоконно-оптичних і перетворювачів Холла. Наведено структурні та принципові схеми, основні параметри, характеристики, переваги, недоліки та вимоги до датчиків, описано деякі особливості їх встановлення. Висвітлено принцип дії основних електромеханічних виконавчих пристроїв, зокрема, електромагнітів, реле, крокових двигунів, електромагнітних муфт. Раскрыта сущность основных понятий и определений автоматики, охарактеризованы физические принципы работы первичных преобразователей, в частности, параметрических, резисторных, индуктивных, трансформаторных, генераторных, термоэлектрических, индукционных, пьезо- и фотоэлектрических, электроконтактных, ультразвуковых, волоконно-оптических и преобразователей Холла. Приведены структурные и принципиальные схемы, основные параметры, характеристики, преимущества, недостатки и требования к датчикам, описаны некоторые особенности их установления. Освещен принцип действия основных электромеханических исполнительных устройств, в частности, электромагнитов, реле, шаговых двигателей, электромагнитных муфт. Індекс рубрикатора НБУВ: З965-04 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА695903 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Дружинін А. О. Фізичні основи створення сенсорів низьких температур на базі ниткоподібних кристалів Si - Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 1. - С. 8-13. - Бібліогр.: 8 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З322-53
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Захарчук Д. А. Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках In-GeD та In-SiD : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Д. А. Захарчук; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2005. - 20 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА335487 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Морозовська Г. М. Локальні полярно-активні властивості сегнетоелектриків та утворення їх нанодоменної структури : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. М. Морозовська; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2009. - 34 c. - укp.Розвинуто феноменологічний опис локальних полярно-активних властивостей сегнетоелектриків. Побудовано термодинамічну теорію утворення нанодоменних структур за дії неоднорідних електричних полів. Розроблено аналітичну теорію локального п'єзоелектричного відгуку сегнетоелектрика на збудження електричним полем зовнішнього нанорозмірного джерела. Зіставлено результати теоретичних і експериментальних досліджень полярно-активних властивостей сегнетоелектриків і показано можливості самоузгодженого аналізу експериментальних даних. З застосуванням розробленого теоретичного підходу описано вплив електричних полів дефектів, розмірних ефектів і екранування зв'язаного заряду на реверсування поляризації у нанорозмірних областях сегнетоелектриків, локальний п'єзо-, піро- та діелектричний відгук полярно-активних матеріалів і процес утворення штучної доменої структрури в сегнетоелектриках. Зазначено, що результати проведених досліджень доцільно використовувати для самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних сканувальної п'єзоелектричної силової мікроскопії, петель сегнето- та піроелектричного гістерезису у полярно-активних матеріалах, що має практичне значення для мініатюризації приладів наноелектроніки, які містять функціональні нелінійні сегнетоелектричні елементи. Використання аналітичних результатів дозволяє визначити оптимальні умови експерименту для формування масивів стабільних нанодоменів і адресного реверсування поляризації їх елементів за допомогою неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела (голки зона силового мікроскопа або дискового електрода), що може бути Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7,022 + В372.236,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА363908 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Мартинюк-Лотоцька І. Ю. П'єзо- та акустооптика променевостійких кристалів $Eroman bold {BaB sub 2 O sub 4 ,~Li sub 2 B sub 4 O sub 7 } та $Eroman bold {CsLiB sub 6 O sub 10 } : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.05 / І. Ю. Мартинюк-Лотоцька; Ін-т фіз. оптики. - Л., 2005. - 16 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7,022 + В379.24,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА337551 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Панков Ю. М. П'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію p-типу провідності і сенсори на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 / Ю. М. Панков; Держ. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 1999. - 18 c. - укp.Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, зумовлених енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,7,022 + В379.271.21,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА307913 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Бутенко А. Ф. Твердотільні сенсори на основі тонкоплівкових полімерних сегнетоелектриків з покращенними технічними характеристиками : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Ф. Бутенко; Одес. нац. політехн. ун-т. - О., 2009. - 23 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.41
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА364441 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Андрущак А. С. Просторова анізотропія електро-, п'єзо- та акустооптичних взаємодій у кристалічних матеріалах твердотільної оптоелектроніки : автореф. дис... д-ра. техн. наук: 01.04.07 / А. С. Андрущак; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2009. - 39 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В374,022 + З861-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА369037 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Федоряко О. П. Релаксаційні процеси та параметричні ефекти у псевдовласних сегнетоелектриках : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. П. Федоряко; НАН України, Ін-т монокристалів. - Х., 2011. - 34 c. - укp.Розглянуто результати дослідження релаксаційних процесів у тонкій плівці псевдовласних сегнетоелектриків (ПВСЕ) з різним поліморфізмом. Дані за характерними часами релаксації дозволяють розділити внески в електромеханічний зв'язок від п'єзоелектричного та двох типів флексоелектричних ефектів. Результати дослідження п'єзоелектричних властивостей показали, що принцип Кюрі розроблений для власних сегнетоелектриків дозволяє передбачати наявність п'єзоелектричних властивостей і в ПВСЕ. Експериментально показано, що м'яка мода збільшує ефективність електромеханічного перетворення. Виявлено, що нелінійність електромеханічного зв'язку виникає в результаті флексоэлектрического ефекту. П'єзоелектричний ефект є лінійним. Одержано частотні залежності п'єзо- і флексоэлектрических коефіцієнтів. У спектрі коливань директора виявлено наявність резонансів текстури п'єзоелектричних доменів ПВСЕ. Досліджено залежності амплітуди, частоти та добротності резонансу ЖК від температури та напруженості електричного поля. Показано, що амплітуда резонансних коливань досягає найбільшої величини в точці фазового переходу. Експериментально показано, що система класичних неізохроних осциляторів має властивості автосинхронізації електромеханічних коливань. Проведено дослідження відкритих резонансних систем, у яких як робоче середовище використовується сегнетоелектричний рідкий кристал. Параметризація виникла за використання зразка ПВСЕ із текстурою шевронів. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА381964 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Дружинін А. О. Ниткоподібні кристали кремнію для сенсорної електроніки / А. О. Дружинін, І. Й. Мар'ямова, О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 4. - С. 1078-1084. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Для розширення функціональних можливостей сенсорів механічних величин на основі ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, легованих бором, проведено комплексне дослідження деформаційно-стимульованих ефектів у цих кристалах у широкому інтервалі температур 4,2 - 300 K за наявності сильних магнітних полів та електронного опромінення. Виявлено особливості п'єзо- та магнетоопору за низьких температур у НК Si, сильнолегованих (вироджених) і з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик. Встановлено радіаційну стійкість НК Si до дії опромінення високоенергетичними електронами. На основі НК кремнію з різним рівнем легування розроблено ряд низькотемпературних тензорезистивних сенсорів механічних величин. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З85
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Котмальова О. Г. Удосконалення технологій оздоблення друкарських відбитків методом ароматизації : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.05.01 / О. Г. Котмальова; Укр. акад. друкарства. - Львів, 2014. - 19 c. - укp.Акцентовано увагу на удосконаленні технології оздоблення друкарських відбитків методом їх ароматизації офсетним і п'єзо-струминним друком та методом напилення аромолаків. Обгрунтовано доцільність модернізації конструкції лакувального апарату офсетної друкарської машини для забезпечення інтенсивного перемішування УФ-лаку без передчасного руйнування мікрокапсул і рівномірного їх розподілу на аромовідбитку. Встановлено, що на якість ароматизації методом напилення впливає товщина покриття, в'язкість і температура лаку. Електронно-мікроскопічними дослідженнями підтверджено вплив структури та морфології поверхні паперів і картонів на якість аромопокриття. Кількісним аналізом УФ-спектрів поглинання підтверджено зміну інтенсивності ароматів у разі використання аромовідбитків. Індекс рубрикатора НБУВ: М880.63
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА405824 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Semenyuk A. Study of electrophysical parameters and tensoeffects in In/i-type Si Ge srystals / A. Semenyuk, A. Korovitsky // Functional Materials. - 2001. - 8, № 3. - С. 493-496. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Саварин В. І. Методи вимірювання п'єзооптичних коефіцієнтів та формування поляризаційних сингулярностей при 2D напружених станах : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.05 / В. І. Саварин; Ін-т фіз. оптики ім. О.Г. Влоха. - Львів, 2014. - 17 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА409946 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Нові матеріали та речовини : навч. посіб. : [в 3 ч.]. Ч. 2. П'єзо- та сегнетоматеріали / О. Т. Богорош, С. О. Воронов, В. М. Крамар, О. Г. Шайко-Шайковский; ред.: О. Т. Богорош; Чернівец. нац. у-т ім. Ю. Федьковича, Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". - Чернівці, 2016. - 367 c. - Бібліогр.: с. 358-367 - укp.Надано феноменологічний опис п'єзоелектриків. Висвітлено властивості сегнетоелектриків. Розглянуто основні напрями сучасного одержання та використання п'єзо- та сегнетоелектричних матеріалів. Наведено аналіз новітніх уявлень щодо структур п'єзо- та сегнетоелектричних матеріалів, а також нових матеріалів із зазначеними властивостями. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412 я73-1 + З843.413 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: В356616/2 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Луньов С. В. Визначення енергії активації А-центра в одновісно деформованих монокристалах n-Ge / С. В. Луньов, А. І. Зімич, П. Ф. Назарчук, С. А. Мороз, Л. М. Поліщук, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Ядер. фізика та енергетика. - 2017. - 18, № 1. - С. 48-55. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.На підставі розв'язків рівняння електронейтральності та експериментальних результатів вимірювань п'єзо-холл-ефекту одержано залежності енергії активації глибокого рівня А-центра від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] і [111] для монокристалів n-Ge, опромінених електронами з енергією 10 МеВ. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. Показано, що енергія активації А-центра зменшується лінійно для всього діапазону одновісних тисків уздовж кристалографічного напрямку [100]. Для випадків одновісної деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [111] зменшення енергії активації за лінійним законом спостерігається лише за високих одновісних тисків, коли глибокий рівень А-центра взаємодіє з тими мінімумами зони провідності германію, які виявилися нижніми у випадку деформації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Мицик Б. Г. Знаки пружнооптичних коефіцієнтів у низькосиметричних матеріалах / Б. Г. Мицик, Н. М. Дем'янишин, Я. П. Кость // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2014. - 50, № 5. - С. 122-128. - Бібліогр.: 32 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В251.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Fedosov S. N. Distribution of the ferroelectric polarization in polyvinylidene fluoride during initial poling and polarization reversal = Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації / S. N. Fedosov, A. E. Sergeeva // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2019. - 11, № 1. - С. 01012-1-01012-7. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.Динаміку профілів поляризації у плівках полівініліденфториду (PVDF) вивчено in situ за допомогою методу покрокової зміни тиску. Показано, що за електризації і зворотного перемикання в середніх полях формується суттєво неоднорідний профіль поляризації з максимумом поляризації поблизу позитивного електрода. Однак первинна електризація зразків в сильних полях призводила до формування однорідного профілю поляризації, який залишався однорідним і легко перемикався за будь-якого згодом прикладеного поля. Виявлено, що неможливо поліпшити однорідність поляризації в PVDF шляхом застосування сильних полів, якщо оригінальна електризація проводилася у слабких або середніх полях. Спостережувані особливості було пояснено моделлю, яка передбачає інжекцію негативних зарядів і формування постійного блокуючого шару на кордоні між поляризованими і неполяризованими зонами. Одержані результати слід враховувати у разі вибору умов електризації під час проектування і виробництва датчиків і виконавчих елементів на основі PVDF. Результати мають практичне значення в розробці п'єзо- і піросенсорів та активаторів з використанням сегнетоелектричних PVDF плівок, оскільки їх слід враховувати за вибору умов полірування. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.02
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Luniov S. V. Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-GeSb, Au single crystals = Механізми розсіяння електронів в одновісно деформованих монокристалах n-GeSb, Au / S. V. Luniov, P. F. Nazarchuk, A. I. Zimych, Yu. A. Udovytska, O. V. Burban // Condensed Matter Physics. - 2019. - 22, № 1. - С. 13702. - Бібліогр.: 22 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Безвесільна О. М. Моделювання впливу параметрів збурень на роботу двоканального п'єзоелектричного гравіметра машин / О. М. Безвесільна, Ю. В. Киричук, Н. М. Назаренко // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2021. - № 1. - С. 21-28. - Бібліогр.: 8 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж108.1-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|