Наведено математичні моделі зростання шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, за яких швидкість зростання визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці. Досліджено газодинамічні процеси у реакторах та зростання шарів. Розглянуто питання про новий метод у теорії кінетичних властивостей кристалів. Наведено комп'ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п'єзо-термо-електрорушійних сил у мікрокристалах кремнію р-типу провідності за нестаціонарних температур і тиску. Висвітлено вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Розглянуто еволюцію дефектів структури в кристалах червоного дифосфіду цинку за умов опромінення та відпалу методом анігіляції позитронів та ідентування. За допомогою сучасної кінетичної теорії визначено природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку.

Розкрито суть основних понять і визначень автоматики, охарактеризовано фізичні принципи роботи первинних перетворювачів, зокрема, параметричних, резисторних, індуктивних, трансформаторних, генераторних, термоелектричних, індукційних, п'єзо- та фотоелектричних, електроконтактних, ультразвукових, волоконно-оптичних і перетворювачів Холла. Наведено структурні та принципові схеми, основні параметри, характеристики, переваги, недоліки та вимоги до датчиків, описано деякі особливості їх встановлення. Висвітлено принцип дії основних електромеханічних виконавчих пристроїв, зокрема, електромагнітів, реле, крокових двигунів, електромагнітних муфт.

Раскрыта сущность основных понятий и определений автоматики, охарактеризованы физические принципы работы первичных преобразователей, в частности, параметрических, резисторных, индуктивных, трансформаторных, генераторных, термоэлектрических, индукционных, пьезо- и фотоэлектрических, электроконтактных, ультразвуковых, волоконно-оптических и преобразователей Холла. Приведены структурные и принципиальные схемы, основные параметры, характеристики, преимущества, недостатки и требования к датчикам, описаны некоторые особенности их установления. Освещен принцип действия основных электромеханических исполнительных устройств, в частности, электромагнитов, реле, шаговых двигателей, электромагнитных муфт.

Індекс рубрикатора НБУВ: З322-53

Рубрики:

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Розвинуто феноменологічний опис локальних полярно-активних властивостей сегнетоелектриків. Побудовано термодинамічну теорію утворення нанодоменних структур за дії неоднорідних електричних полів. Розроблено аналітичну теорію локального п'єзоелектричного відгуку сегнетоелектрика на збудження електричним полем зовнішнього нанорозмірного джерела. Зіставлено результати теоретичних і експериментальних досліджень полярно-активних властивостей сегнетоелектриків і показано можливості самоузгодженого аналізу експериментальних даних. З застосуванням розробленого теоретичного підходу описано вплив електричних полів дефектів, розмірних ефектів і екранування зв'язаного заряду на реверсування поляризації у нанорозмірних областях сегнетоелектриків, локальний п'єзо-, піро- та діелектричний відгук полярно-активних матеріалів і процес утворення штучної доменої структрури в сегнетоелектриках. Зазначено, що результати проведених досліджень доцільно використовувати для самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних сканувальної п'єзоелектричної силової мікроскопії, петель сегнето- та піроелектричного гістерезису у полярно-активних матеріалах, що має практичне значення для мініатюризації приладів наноелектроніки, які містять функціональні нелінійні сегнетоелектричні елементи. Використання аналітичних результатів дозволяє визначити оптимальні умови експерименту для формування масивів стабільних нанодоменів і адресного реверсування поляризації їх елементів за допомогою неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела (голки зона силового мікроскопа або дискового електрода), що може бути

  Скачати повний текст

Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, зумовлених енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розглянуто результати дослідження релаксаційних процесів у тонкій плівці псевдовласних сегнетоелектриків (ПВСЕ) з різним поліморфізмом. Дані за характерними часами релаксації дозволяють розділити внески в електромеханічний зв'язок від п'єзоелектричного та двох типів флексоелектричних ефектів. Результати дослідження п'єзоелектричних властивостей показали, що принцип Кюрі розроблений для власних сегнетоелектриків дозволяє передбачати наявність п'єзоелектричних властивостей і в ПВСЕ. Експериментально показано, що м'яка мода збільшує ефективність електромеханічного перетворення. Виявлено, що нелінійність електромеханічного зв'язку виникає в результаті флексоэлектрического ефекту. П'єзоелектричний ефект є лінійним. Одержано частотні залежності п'єзо- і флексоэлектрических коефіцієнтів. У спектрі коливань директора виявлено наявність резонансів текстури п'єзоелектричних доменів ПВСЕ. Досліджено залежності амплітуди, частоти та добротності резонансу ЖК від температури та напруженості електричного поля. Показано, що амплітуда резонансних коливань досягає найбільшої величини в точці фазового переходу. Експериментально показано, що система класичних неізохроних осциляторів має властивості автосинхронізації електромеханічних коливань. Проведено дослідження відкритих резонансних систем, у яких як робоче середовище використовується сегнетоелектричний рідкий кристал. Параметризація виникла за використання зразка ПВСЕ із текстурою шевронів.

Для розширення функціональних можливостей сенсорів механічних величин на основі ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, легованих бором, проведено комплексне дослідження деформаційно-стимульованих ефектів у цих кристалах у широкому інтервалі температур 4,2 - 300 K за наявності сильних магнітних полів та електронного опромінення. Виявлено особливості п'єзо- та магнетоопору за низьких температур у НК Si, сильнолегованих (вироджених) і з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик. Встановлено радіаційну стійкість НК Si до дії опромінення високоенергетичними електронами. На основі НК кремнію з різним рівнем легування розроблено ряд низькотемпературних тензорезистивних сенсорів механічних величин.

Акцентовано увагу на удосконаленні технології оздоблення друкарських відбитків методом їх ароматизації офсетним і п'єзо-струминним друком та методом напилення аромолаків. Обгрунтовано доцільність модернізації конструкції лакувального апарату офсетної друкарської машини для забезпечення інтенсивного перемішування УФ-лаку без передчасного руйнування мікрокапсул і рівномірного їх розподілу на аромовідбитку. Встановлено, що на якість ароматизації методом напилення впливає товщина покриття, в'язкість і температура лаку. Електронно-мікроскопічними дослідженнями підтверджено вплив структури та морфології поверхні паперів і картонів на якість аромопокриття. Кількісним аналізом УФ-спектрів поглинання підтверджено зміну інтенсивності ароматів у разі використання аромовідбитків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14,022

Рубрики:

Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія

Шифр НБУВ: РА409946 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Надано феноменологічний опис п'єзоелектриків. Висвітлено властивості сегнетоелектриків. Розглянуто основні напрями сучасного одержання та використання п'єзо- та сегнетоелектричних матеріалів. Наведено аналіз новітніх уявлень щодо структур п'єзо- та сегнетоелектричних матеріалів, а також нових матеріалів із зазначеними властивостями.

На підставі розв'язків рівняння електронейтральності та експериментальних результатів вимірювань п'єзо-холл-ефекту одержано залежності енергії активації глибокого рівня А-центра від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] і [111] для монокристалів n-Ge, опромінених електронами з енергією 10 МеВ. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. Показано, що енергія активації А-центра зменшується лінійно для всього діапазону одновісних тисків уздовж кристалографічного напрямку [100]. Для випадків одновісної деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [111] зменшення енергії активації за лінійним законом спостерігається лише за високих одновісних тисків, коли глибокий рівень А-центра взаємодіє з тими мінімумами зони провідності германію, які виявилися нижніми у випадку деформації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.1

Рубрики:

Теорія пружності

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Динаміку профілів поляризації у плівках полівініліденфториду (PVDF) вивчено in situ за допомогою методу покрокової зміни тиску. Показано, що за електризації і зворотного перемикання в середніх полях формується суттєво неоднорідний профіль поляризації з максимумом поляризації поблизу позитивного електрода. Однак первинна електризація зразків в сильних полях призводила до формування однорідного профілю поляризації, який залишався однорідним і легко перемикався за будь-якого згодом прикладеного поля. Виявлено, що неможливо поліпшити однорідність поляризації в PVDF шляхом застосування сильних полів, якщо оригінальна електризація проводилася у слабких або середніх полях. Спостережувані особливості було пояснено моделлю, яка передбачає інжекцію негативних зарядів і формування постійного блокуючого шару на кордоні між поляризованими і неполяризованими зонами. Одержані результати слід враховувати у разі вибору умов електризації під час проектування і виробництва датчиків і виконавчих елементів на основі PVDF. Результати мають практичне значення в розробці п'єзо- і піросенсорів та активаторів з використанням сегнетоелектричних PVDF плівок, оскільки їх слід враховувати за вибору умов полірування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж108.1-5

Рубрики:

Вимірювання швидкостей та прискорень

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ