Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Автореферати дисертацій - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (46) | Книжкові видання та компакт-диски (17) |
Пошуковий запит: (<.>A=Братусь В$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||
| 1. | Братусь В.Я. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.Я. Братусь ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2006. — 28 с. — укp. З'ясовано природу та стуктуру домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC та кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Встановлено, що резонансне спінове поглинання центрів Mn у нейтральному стані має електродипольну природу. Визначено симетрію та параметри надтонкої взаємодії для мілкої домішки бору у 3C - SiC. Визначено параметри спін-гамільтоніана трьох основних дефектів Ку1, Ку2 та Ку3, утворених опроміненням електронами кристалів 6H - SiC p-типу. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З843.312 + З843.312 + З843.312 Шифр НБУВ: РА343811 Рубрики: | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського