1. |
Гайдар Г.П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Г.П. Гайдар ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 20 с.: рис. — укp.Досліджено актуальні задачі, пов'язані з впливом радіаційного випромінення, термовідпалів і спрямованої пружної деформації на електрофізичні властивості Si та Ge n-типу. Продемонстровано безпосередній зв'язок особливостей питомого опору, п'єзоопору, коефіцієнта Холла тощо, які спостерігаються у гамма-опромінених n-Si та n-Ge (різного рівня легування та компенсації), з анізотропією розсіяння. Встановлено суттєвий вплив анізотропії розсіяння на формування кінетичних коефіцієнтів, що вимірюються за умов змішаного (фононного + домішкового) чи переважно домішкового розсіяння в слабко збуреному тепловому полі, а також за наявності довільних за величиною (неквантуючих) магнітних полів чи спрямованих пружних деформацій. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.022 Шифр НБУВ: РА313327 Пошук видання у каталогах НБУВ
|