Дисертацію присвячено встановленню умов резистивного нагрівання комірок високого тиску апаратів типів «тороїд-30» і «тороїд-40» для дослідження розчинності нітриду ґалію у армко-залізі і кристалізації GaN із розчин-розплавної системи Fe–Ga–N.Встановлено, шо при значеннях градієнта температури ~13 °С/мм має місце агрегатний хаотичний ріст кристалів GaN; при зменшенні градієнта температури до значень ~8 °С/мм утворюється текстурований квазімонокристал GaN; при подальшому зменшенні градієнта температури до 1,5 С/мм спостерігається нестисненний ріст монокристалів GaN пелюсткової форми розміром до 3 мм, які об’єднуються в кущоподібні друзи. Оптимізовано схеми резистивного нагрівання комірки АВТ типу «тороїд-40», які забезпечують зменшення величини градієнта температури і приводять до покращення структурної досконалості кристалів GaN.Показано, що для забезпечення росту монокристалів GaN пелюсткової форми із системи Fe–Ga–N у температурному градієнті оптимальною є схема нагрівання комірки АВТ типу «тороїд-40» з використанням комбінованих торцевих нагрівачів з діаметром графітового диска у 10 мм. Усереднене значення осьового градієнта температури при цьому становить 1,5 °С/мм, ізолінії температури мають горизонтальну орієнтацію.Показано, що в процесі зростання зони кристалізації GaN температура в кристалізаційному об’ємі зменшується незначно (максимально до 5 С), що не потребує додаткового коригування теплового стану комірки при довготривалих режимах кристалізації GaN у температурному градієнті.Встановлено, що для проведення експериментів з вивчення розчинності нітриду ґалію у залізі в АВТ типу «тороїд-30» оптимальною є схема нагрівання комірки, що відповідає 60 %-вій концентрації ZrO2 в осьових нагрівачах, товщині стінки трубчастого нагрівача у 1,5 мм, за яких температура у зразку змінюється в інтервалі 1805–1842 С. Разом з тим, варіювання товщини стінки трубчастого нагрівача від 1,0 до 2,1 мм веде до незначного (~2 С) збільшення максимального перепаду температури у зразку GaN+Fe за одночасної лінійної зміни температури в центрі зразка від 1580 до 2059 С, що забезпечує можливість його дослідження в широкому температурному інтервалі без зміни ступеня однорідності його теплового стану.^UThe dissertation is devoted to establishing the conditions of resistive heating of high-pressure cells of "toroid-30" and "toroid-40" types of apparatuses for researching the solubility of gallium nitride in Armco-iron and the crystallization of GaN from the Fe–Ga–N melt-solution system.Established that values of the temperature gradient ~13 °С/mm, aggregate chaotic growth of GaN crystals takes place; when the temperature gradient is reduced to values of ~8 °С/mm, a textured GaN quasi-single crystal is formed; with a further decrease in the temperature gradient to 1.5 °С/mm, incompressible growth of petal-shaped GaN single crystals up to 3 mm in size is observed, which combine into bush-like druses. The resistive heating schemes of the cell HPA "toroid-40" have been optimized, which ensure a decrease in the temperature gradient and lead to an improvement in the structural perfection of GaN crystals.To ensure the growth of petal-shaped GaN single crystals from the Fe–Ga–N system in a temperature gradient, the heating scheme of the cell of the HPA "toroid-40" type using combined end heaters with a graphite disk diameter of 10 mm is optimal. The average value of the axial temperature gradient in this case is 1.5 °С/mm, the temperature isolines have a horizontal orientation.It is shown that with the growth of the GaN crystallization zone, the temperature in the crystallization volume decreases slightly (up to 5 °С), which does not require additional adjustment of the thermal state of the cell during long-term modes of GaN crystallization in a temperature gradient.Established that for conducting experiments on the solubility of gallium nitride in iron in the HPA "toroid-30" type, the optimal cell heating scheme is 60% concentration of ZrO2 in axial heaters and wall thickness of the tubular heater of 1.5 mm, which provides the temperature in the sample varies in the interval 1805–1842 С. At the same time, varying the wall thickness of the tubular heater from 1.0 to 2.1 mm leads to a slight (~2 С) increase in the maximum temperature difference in the GaN+Fe sample with a simultaneous linear temperature change in the centre of the sample from 1580 to 2059 С, which makes it possible to study it in a wide temperature range without changing the degree of homogeneity of its thermal state.