Запропоновано конструктивне удосконалення касети для проведення рідинно-фазної епітакції, що дозволяє одержувати тонкі епітаксійні шари субмікронних розмірів на базі гетероструктур GaAs різного складу та рівня легування за рахунок забезпечення швидкої заміни в касеті ростових розплавів-розчинів. Удосконалено та реалізовано установку електрохімічного профілювання концентрації вільних носіїв заряду в епітаксійних шарах на основі GaAs, яка може бути ефективно використана в процесі розв'язання аналогічних задач екологічно небезпечним методом ртутного зонда. Обгрунтовано й апробовано режими використання легування розчинів-розплавів домішками рідкоземельних елементів у технології рідиннофазної епітаксії щодо зниження рівня фонових домішок, які дозволяють значно скоротити та здешевити процес епітаксійного нарощування шарів на базі GaAs шляхом відмови від довготривалих відпалів вихідної шихти.

  Скачати повний текст