1. |
Панков Ю.М. П'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію p-типу провідності і сенсори на їх основі: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Ю.М. Панков ; Держ. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 1999. — 18 с. — укp.Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору у Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які зумовлені енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,7,022 + В379.271.21,022 Шифр НБУВ: РА307913 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|