Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Автореферати дисертацій - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Наукова електронна бібліотека (1) | Реферативна база даних (20) | Книжкові видання та компакт-диски (41) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Сидор О$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
||||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | ||||
| 1. | Сидор О.М. Дослідження фоточутливих поверхнево-бар'єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / О.М. Сидор ; НАН України та М-во освіти і науки України. Ін-т термоелектрики. — Чернівці, 2006. — 20 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-03 + З852.3-03 + Шифр НБУВ: РА346089 Рубрики: | |||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | ||||
| 2. | Сидор О.А. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію: автореф. дис... канд. техн. наук.: 05.27.01 / О.А. Сидор ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp. Розроблено фізико-технологічні основи одержання лазерним випромінюванням фотодіодів (ФД) на основі pInSe, досліджено їх характеристики. Запропоновано модель формування p-n-переходу у разі лазерного опромінення шаруватих кристалів. Вперше виявлено "ефект малих доз" за X- та gamma-опромінення ФД власний оксид-p-InSe та n-InSe-p-InSe. Виявлено покращання параметрів ФД, а для максимальних доз - незначне зменшення деяких з них. Доведено, що вплив радіації зводиться до утворення точкових дефектів вакансійного типу. Встановлено, що радіація призводить до утворення точкових дефектів і кластерів, що є ефективними центрами рекомбінації. На підставі результатів даних рентгеноструктурного аналізу та спектрів комбінаційного розсіювання світала з'ясовано, що усі типи опромінення призводять до несуттєвих змін кристалографічної структури, вакансійної та домішкової підсистеми шаруватих кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З854.22 Шифр НБУВ: РА362613 Рубрики: | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського