Наведено теоретичне узагальнення й обгрунтовано нове практичне рішення наукової задачі удосконалення реконструктивної тактики в системі комплексного лікування хворих на рак грудної залози шляхом розробки модифікованого способу реконструктивної хірургії з урахуванням променевого патоморфозу шкіри після проведення передопераційної променевої терапії. Вперше досліджено ультраструктурні закономірності променевого патоморфозу шкіри грудної залози, зроблено кількісну оцінку її морфологічної перебудови на тканинному та клітинному рівнях у межах різних координатних зон. За даними клініко-морфологічного аналізу науково обгрунтовано спосіб визначення меж ексцизії шкіри після застосування локальної променевої терапії в передопераційному режимі. Запропоновано адаптовану методику оцінювання якості життя хворих, що дозволяє визначити ефективність реконструктивної тактики. На підставі вивчення результатів наукового дослідження встановлено достовірний вплив реконструкції грудної залози на всі базові компоненти якості життя даної категорії пацієнтів.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено розробці нового методу вирощування з рідинної фази. Для цього, проведено аналіз методів вирощування з рідинної фази, на основі якого сформульовані основні вимоги для нового методу. Розроблений новий метод вирощування з рідинної фази, який отримав назву скануюча рідиннофазна епітаксія. В дисертаційній роботі запропоновано і описано методику вирощування епітаксійних шарів новим методом. Побудовано математичну модель та розроблена комп'ютерна програма розрахунку технологічних режимів отримання епітаксійних шарів новим методом з урахуванням: напружень, нерівномірного розтікання струму в ростовому капілярі, ефекту Пельтьє, Джоулева нагрівання, електроміграції, кута змочування розчином-розплавом підкладки, а також різних умов тепловідведення від тильної і фронтальної сторони підкладки. Розроблено та виготовлено установку для скануючої рідиннофазної епітаксії. За результатами моделювання визначені оптимальні параметри і режими експеримеентів. Для підтвердження працездатності нового методу, розробленої і виготовленої експериментальної установки до нього та запропонованої математичної моделі було проведено експерименти з вирощування гетероепітаксійних шарів і нанесення контактної сітки. А саме. Вирощений епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з Ga-Ge розчину-розплаву, товщиною 12.6 мкм в умовах градієнта температури. Вирощені суцільні по поверхні гетероепітаксійні шари Ge на підкладках GaP та GaAs в умовах надшвидкісного вирощування, на початковому етапі росту, при часі кристалізації 1 с та 20 с. Нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні Si пластини з Al-Sn розчину-розплаву, крізь маску із вузькими щілинами, що має питомий контактний опір 7.2∙10 4 Ом·см2. За допомогою епітаксії шару Ge на підкладках GaP та GaAs шляхом порівнянням розрахункової і експериментальної товщини гетероепітаксійного шару підтверджена коректність запропонованих моделей тепло- та масопередачі для методу скануючої рідиннофазної епітаксії.^UThe thesis is devoted to development of a new method of liquid phase growth. For this purpose the analysis of liquid phase growth methods was carried out to ground basic requirements for the new method. The method developed was named "scanning liquid phase epitaxy". The technique of epitaxial layers growing by new method was proposed and described in the thesis manuscript. The mathematical modeling was carried out as well as the computer program was developed for calculation of technological modes of epitaxial layer obtaining by the new method taking into account: stress, inhomogeneous current spreading in the growth capillary, Peltier effect, Joule heating, electromigration, wetting angle between a solution-melt and a substrate, different conditions of the heat removal from the front and rear sides of the substrate. The apparatus for scanning liquid phase epitaxy was designed and built. According to the modelling results the optimal parameters and regimes of experiments were determined. To confirm the efficiency of the new method, as well as the experimental apparatus for it and the mathematical modelling results, the experiments on heteroepitaxial layers growing and contact grid deposition were carried out. Ge epitaxial layer with thickness 12.6 um was grown on GaAs substrate from Ga-Ge solution-melt in the temperature gradient. Ge continuous heteroepitaxial layers were grown on GaP and GaAs substrates in conditions of ultrafast deposition at the initial growth stage and crystallization times 1 s and 20 s. Al/SnAl contact layer was deposited on Si wafer from Al-Sn solution-melt through the mask with narrow slits. Its contact resistivity made 7.2•10-4 Om•cm2. The validity of heat and mass transfer modelling in the method of scanning liquid phase epitaxy was confirmed by the comparison between the calculated heteroepitaxial layer thickness and the one obtained experimentally in the process of Ga epitaxy on GaP and GaAs substrates.