Бази даних

Автореферати дисертацій - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (102)Книжкові видання та компакт-диски (206)Журнали та продовжувані видання (3)
Пошуковий запит: (<.>U=В372.6,022$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 62
Представлено документи з 1 до 20
...

      
1.

Ямпольська Г.І. 
Основний стан і феромагнітний резонанс у двошарових обмінно-пов'язаних магнітних плівках: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.11 / Г.І. Ямпольська ; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. — Донецьк, 2003. — 25 с.: рис. — Бібліогр.: с. 20-21. — укp.

Досліджено неоднорідний розподіл намагніченості вздовж товщини двошарової магнітної плівки, що має анізотропію шарів легка вісь - легка площина з урахуванням міжшарової обмінної взаємодії скінченної величини. Одержано аналітичні вирази для резонансних полів феромагнітного резонансу та тензора динамічної магнітної сприйнятливості такої плівки, що знаходиться у довільноорієнтованому зовнішньому магнітному полі, яке перевищує поля анізотропії шарів. Запропоновано прості якісні критерії, які дають змогу через залежність інтенсивності поглинання змінного поля від кута нахилу постійного зовнішнього поля та від товщини легковісного шару визначити знак міжшарової обмінної взаємодії (феромагнітної та антиферомагнітної). Проведено дослідження функцій відгуку тонких двошарових магнітних металевих плівок. Числовими методами розраховано імпеданс та поверхневий імпеданс тонкої двошарової магнітної металевої плівки, вздовж якої проходить змінний струм, з урахуванням міжшарової взаємодії.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.3,022 +
Шифр НБУВ: РА326249

Рубрики:

      
2.

Юркович Н.В. 
Моделювання та фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібних халькогенідів германія: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Н.В. Юркович ; Ужгор. нац. ун-т. — Ужгород, 2004. — 16 с. — укp.

Виявлено, що домішкові атоми Te (1 - 3 ат. %) є електрично неактивними і не призводять до появи домішкової провідності. Встановлено, що зі збільшенням концентрації Te максимуми в спектрах збудження фотолюмінесценції зсуваються в низькоенергетичну область спектра, що свідчить про зв'язок процесу збудження фотолюмінесценції з оптичними переходами за участі локалізованих станів у хвості дозволених зон. Встановлено, що в електронно-дефектній підсистемі проявляються зміни фізичних властивостей об'ємних і тонкоплівкових структур, що є наслідком різних механізмів входження модифікатора в некристалічні матриці та основою керованої зміни параметрів функціональних елементів для мікро- та оптоелектроніки.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В379.224,022 +
Шифр НБУВ: РА334414

Рубрики:

      
3.

Чорноус А.М. 
Розмірні ефекти в електрофізичних властивостях нанокристалічних плівкових систем в умовах взаємної дифузії та фазоутворення: Автореф. дис... д-ра фіз.- мат. наук: 01.04.07 / А.М. Чорноус ; Сум. держ. ун-т. — Суми, 2006. — 37 с. — укp.

На підставі одержаних результатів розширено уявленя щодо розмірних явищ в електрофізичних властивостях металоплівкових матеріалів мікроелектроніки за умов зовнішнього та внутрішнього розмірних ефектів, взаємної дифузії та фазоутворення. Теоретичні співвідношення щодо температурного коефіцієнта опору (ТКО) та коефіцієнта тензочутливості (КТ) можуть застосовуватись щодо прогнозу електрофізичних властивостей багатошарових плівкових структур на основі металів з різним типом взаємної розчинності компонент. Доведено, що врахування зміни з температурою та деформацією параметрів електроперенесення забезпечує краще узгодження розрахункових і експериментальних величин ТКО і КТ. Запропоновано методику розділення внеску у електрофізичні властивості об'ємного, поверхневого та зерномежового розсіювання носіїв заряду у плівкових зразках. Доведено, що одержані у роботі дані щодо температурної залежності опору, ТКО та результати щодо впливу кількості шарів на тензочутливість багатошарових систем можуть бути використані у разі створення високостабільних, технологічних і дешевих термоперетворювачів опору та тензодатчиків.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В375,022 + К202.6 +
Шифр НБУВ: РА343435

Рубрики:

      
4.

Черепанов В. В. 
Дослідження надтонких органічних плівок методами зондової мікроскопії: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Черепанов ; Нац. акад. наук України ; Ін-т фізики. — К., 2010. — 24 с. — укp.

Досліджено структуру, електронні й електролюмінесцентні властивості надтонких органічних плівок методами сканувальної тунельної мікроскопії й атомно-силової мікроскопії. Розглянуто вплив термічного розпаду нанотрубок на їх фотонну й електронну емісію. Показано, що високовпорядковані хемосорбовані моношари насичених кислот можуть бути одержані на реконструйованій поверхні Au(111). Експериментально підтверджено ефект односпрямованої провідності молекул оксифенілнафталіміду й їх ланцюгів. Запропоновано новий спосіб одержання нанозазорів за допомогою зонда атомно-силового мікроскопа.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В372.15,022 + Ж619
Шифр НБУВ: РА377684 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
5.

Часовський К.В. 
Синтез і дослідження фізичних властивостей плівок стабілізованої при низьких температурах delta-фази Bisub2/sub Osub3/sub: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / К.В. Часовський ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2005. — 17 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3,022 + В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА340353

Рубрики:

      
6.

Фурсенко О.В. 
Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.В. Фурсенко ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 17 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В379.271.5,022

Рубрики:

      
7.

Ткач В. М. 
Закономірності взаємозв'язку анізотропії та неоднорідностей реальної будови алмазів різного походження з тонкою структурою ліній Кікучі і Косселя: автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. М. Ткач ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2010. — 36 с. — укp.

Досліджено механізми та закономірності формування профілів інтенсивності у дво- та багатохвильових областях дифракції широкорозбіжного пучка Х-променів кристалами алмазу, що містять нерівномірно розподілені за товщиною деформаційні поля, на підставі аналізу двохвильових ліній Х-променів та електронів розроблено метод визначення компонент тензора деформацій для оцінювання напруженого стану реальних кристалів кубічної сингонії, одержано значення статичних коефіцієнтів пружності кристалів алмазу, синтезованих у різних системах, а також їх значення для пірамід росту простих форм одного і того кристала. Із використанням методу Кікучі досліджено структурні й орієнтаційні характеристики зразків полікристалічних алмазних плівок, одержаних у НВЧ-плазмі за різних технологічних умов. Встановлено орієнтації за кристалографічними напрямками кристалітів, а також визначено центри локалізації максимальних напруг.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3,022 + В372.6,022 + Л463.8
Шифр НБУВ: РА376313 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
8.

Терпій Д.М. 
Структура та фізичні властивості боридних плівок, отриманих ВЧ-магнетронним розпиленням: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Д.М. Терпій ; Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна НАН України. — Донецьк, 2004. — 18 с. — укp.

Залежно від умов фазоутворення та механізму зростання плівки, обумовлених змінами характеру розподілу адатомів за енергіями, визначено три характерних режими роботи систем ІПР, які на практиці зручно розрізняти за значеннями параметра pd. Запропоновано механізм переносу розпиленої речовини на поверхню підкладки, що дозволяє за допомогою комп'ютерного моделювання одержувати дані про характеристики потоків атомів, які конденсуються, і здійснювати якісне прогнозування структури та властивостей одержаних плівок.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К663.033.057.2 + К663.63 +
Шифр НБУВ: РА334760

Рубрики:

      
9.

Сухов Р. В. 
Розмірні ефекти при плавленні-кристалізації в одно- і двошарових плівкових системах: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Сухов ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н. Каразіна. — Х., 2011. — 20 с. — укp.

Уперше визначено критичну товщину контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу (Su - Bi, Ge - Au), тобто товщину плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази в системі за евтектичної температури не відбувається. Уперше встановлено залежність температури плавлення евтектики Ge - Au на аморфній вуглецевій підкладці від товщини шаруватої плівкової системи евтектичного складу. Уперше показано, що під час плавлення початкових вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn - Bi евтектичного складу, які ростуть на аморфних вуглецевих підкладках за кімнатної температури за механізмом Фольмера - Вебера, формуються острівцеві системи, у яких коефіцієнт заповнення підкладки є немонотонною функцією масової товщини.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В375.14,022
Шифр НБУВ: РА379907 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
10.

Сорока В.П. 
Фотоелектричні властивості поверхні (III) алмазних полікристалічних плівок: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.П. Сорока ; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. — Донецьк, 2007. — 17 с. — укp.

Визначено фактори (густину потоку фотонів, напруженість електричного поля), що впливають на його характеристики та відтворюваність експериментальних результатів. У процесі дослідження електрофізичних характеристик за стаціонарних умов та під дією опромінювання різної інтенсивності виявлено анізотропію провідності алмазних полікристалічних плівок.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.14,022 + Л463.8 +
Шифр НБУВ: РА353567

Рубрики:

      
11.

Саадлі Хішам 
Структура та теплове розширення тонких плівок фулериту C60: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Саадлі Хішам ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 20 с.: рис., табл. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В375,022 + В372.6,022
Шифр НБУВ: РА328733

Рубрики:

      
12.

Сіпатов О.Ю. 
Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.Ю. Сіпатов ; НАН України. Ін-т монокристалів. — Х., 2006. — 32 с. — укp.

Завдяки використанню багатошарових плівок халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів у широких межах (0,5 - 13 %) розширено коло надграткових матеріалів та уможливлено створення одно-, дво- та тривимірних надграткових наноструктур, що призвело до відкриття нових ефектів. Для двовимірних (дислокаційних) надграток виявлено надпровідність, яка взаємопов'язана з присутністю періодичних сіток дислокацій невідповідності на міжфазних межах (відсутність дислокацій призводить до відсутності надпровідності). Для тривимірних надграток PbSe - PbS знайдено спектри люмінесценції з квантових точок, створених модуляцією структури періодичними дислокаціями у площині композиції та модуляцією складу в ортогональному напрямку. Для одновимірних (композиційних) надграток знайдено резонансне тунелювання електронів через феромагнітні бар'єри EuS, а також антиферомагнітне впорядкування магнітних шарів, зумовлене їх взаємодією через діамагнітні прошарки PbS та YbSe. Таке впорядкування спостережено для великого діапазону товщини прошарків вузькозонного напівпровідника PbS (від 0,4 до 40 нм) та широкозонного YbSe (від 1 до 3 нм).

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА345984

Рубрики:

      
13.

Рувінський Б.М. 
Вплив технологічних факторів на дефектну підсистему і електронні процеси у плівках халькогенідів свинцю PbTe, PbSe і PbS: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / Б.М. Рувінський ; Прикарпат. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2003. — 20 с.: рис. — укp.

Вперше сформульовано та розроблено модель дефектоутворення тонких плівок халькогенідів свинцю у технології гарячої стінки з одночасним урахуванням складного спектра зарядових станів дефектів, внутрішніх напружень у плівці та роду підкладок, а також кінетики ізотермічного вакуумного відпалу з виникненням двошарової p-n-структури у плівках p-PbS. Розглянуто кристало-хімічний механізм виділення вільної фази свинцю у разі парофазної епітаксії плівок PbTe та PbSe, який пов'язаний з дисоціацією сполук у разі випаровування та нагромадженням міжвузловинних атомів свинцю у конденсаті. На підставі результатів теоретичного та експериментального дослідження кінетики концентрації електронів у разі вакуумного відпалу плівок n-PbTe за участю кисню виявлено суттєву роль дифузійних процесів атомів і вакансій телуру.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В372.31,022 +
Шифр НБУВ: РА323191

Рубрики:

      
14.

Робул Ю.В. 
Люмінесцентні явища в окисних плівках алюмінію, обумовлені участю іон-радикалів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю.В. Робул ; Одес. нац. ун-т ім. І.І.Мечникова. — О., 2003. — 16 с. — укp.

Проаналізовано вплив неорганічних електролітів на енергетичну структуру окисних плівок алюмінію аніонного та катіонного складу. Проведено комплексне дослідження впливу хімічного складу водних розчинів неорганічних електролітів на фотолюмінесценцію, термостимульовану люмінесценцію, термостимульовану екзоелектронну емісію та світіння окису алюмінію в електролітичній ванні. Встановлено, що адсорбція з неорганічних електролітів призводить до появи на кривих ТСЛ, ТСЕЕ та СЕВ додаткових максимумів, а на кривих ФЛ додаткові смуги не з'являються. Експериментально виявлено можливість зменшення граничної температури термовисвітлювання шляхом занурення об'єкта у прозоре діелектричне середовище. Експериментально встановлено наявність кількох послідовних стадій у взаємодії іон-радикалів з окисною плівкою алюмінію.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374.9,022
Шифр НБУВ: РА331061

Рубрики:

      
15.

Решетняк О.М. 
Напружений стан та структура іонно-плазмових конденсатів з гексагональною та кубічною решіткою: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.М. Решетняк ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 20 с. — укp.

Встановлено зв'язок між напруженим станом, процесом релаксації пружних спотворень решітки та формуванням текстури. Проаналізовано вплив середньої енергії частинок, що осаджуються, на рівень залишкових напружень у плівках. Уточнено уявлення про механізм формування залишкових напружень в іонно-плазмових конденсатах. Основні результати дослідження рекомендовано використовувати для оптимізації технології одержання плівок з заданими властивостями.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В372.134,022 +
Шифр НБУВ: РА330752

Рубрики:

      
16.

Репецький Є.С. 
Фотоелектронні властивості плівок і кристалів на основі комплексів із внутрішьомолекулярним переносом заряду: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Є.С. Репецький ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2004. — 23 с. — укp.

Показано, що термпературна залежність часу затухання фотолюмінесценції кристалів ЦБК зумовлена термічною дисоціацією синглетних екситонів з переносом заряду. Енергія активації дисоціації екситону для кристалів складає ~ 0,02 ев. На підставі дослідженої залежності фотоструму від частоти збудливого випромінювання встановлено, що фотопровідність кристалів ЦБК і ЦБА є власною. Розвинуто метод урахування електронних кореляцій у разі розрахунку електронної структури кристалів і молекул. На відміну від відомого методу молекулярних орбіталей - лінійної комбінації атомних орбіталей МО ЛКАО, що грунтується на наближенні середнього поля Хартрі - Фока, запропоновано метод, який є виходом за межі цього наближення. З'ясовано механізм двофотонно збудженої фотолюмінесценції кристалів та плівок ЦБК, що пов'язаний з переходами з внутрішньомолекулярним переносом заряду переважно з атомів водню (H) молекули карбазолу на атоми азоту (N) і вуглецю (C) ціаногрупи та з переходами з екситонних станів з міжмолекулярним переносом заряду між двома сусідніми взаємодіючими молекулярними ланцюгами.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.14,022 +
Шифр НБУВ: РА330854

Рубрики:

      
17.

Проценко С.І. 
Вплив температурної і деформаційної залежності параметрів електроперенесення на електрофізичні властивості багатошарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Co): Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / С.І. Проценко ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 21 с. — укp.

Досліджено електрофізичні властивості (термічний коефіцієнт опору (ТКО) та коефіцієнт поздовжньої тензочутливості (КТ)) одно-, дво- і тришарових плівкових систем на основі Cr, Cu і Sc (Co). Описано напівкласичні моделі ТКО і КТ для двошарових плівок, напівфеноменологічні моделі для багатошарових плівкових систем, які враховують температурну та деформаційну залежність середньої довжини вільного пробігу електронів, коефіцієнтів дзеркальності, проходження меж зерен і поділу шарів. Проаналізовано внесок об'ємного, поверхневого та зерномежового розсіювання у величину ТКО та температурну залежність КТ.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.1,022 +
Шифр НБУВ: РА336756

Рубрики:

      
18.

Політанський Р.Л. 
Структурні та оптичні властивості багатокомпонентних тонких плівок, модифікованих активними обробками: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Р.Л. Політанський ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2001. — 16 с. — укp.

Показано, що введення вуглецю в процесі іонної імплантації більш ефективно впливає на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах Si - Ge, ніж легування під час плазмохімічного осадження. За допомогою методу високороздільної двокристальної рентгенівської дифрактометрії вперше виявлено аморфізований шар на межі поділу епітаксійної плівки Si - Ge (отриманої внаслідок плазмохімічного осадження) - підкладка Si. Досліджено вплив температури підкладки на структуру плівок Cd - Hg - Se, виготовлених методом лазерного розпилення. На базі даних про температурну залежність коефіцієнта Хола запропоновано модель, яка пояснює структурні зміни в плівках.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374,022 + К232.602.6 + К235.230,26
Шифр НБУВ: РА315319 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
19.

Поварчук В.Ю. 
Дослідження впливу іонізуючої радіації на властивості аморфних та нанокристалічних сплавів на основі системи Fe - Si - B: Автореф. дис... канд. фіз-мат. наук: 01.04.07 / В.Ю. Поварчук ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2005. — 19 с. — укp.

Проведено експериментальне дослідження впливу електронного та гама-опромінення на структуру та магнітні властивості аморфних і нанокристалічних сплавів системи Fe - Si - B. Показано, що динаміка змін структурного фактора аморфних сплавів даного виду під дією електронного та гама-опромінення якісно однакова. На базі одержаних результатів обгрунтовано два механізми впливу опромінення на структуру аморфних металевих сплавів: радіаційно-стимульовану релаксацію та розупорядкування. Встановлено, що величина та напрям змін висоти першого максимуму структурного фактора, температури Кюрі та кристалізації сплавів Fe - Si - B під дією опромінення істотно залежать від концентрацій кремнію та бору в їх складі. Показано, що відмінність впливу опромінення на ближній порядок і процес кристалізації в аморфних сплавах Fe - Si - B імовірно пов'зана з різними механізмами радіаційно-стимулювальної дифузії атомів кремнію та бору. Встановлено, що в результаті легування сплавів Fe - Si - B нікелем і молібденом відбувається зменшення радіаційної чутливості структурного фактора, температури Кюрі та кристалізації та збільшення чутливості - магнітної проникності. Запропоновано якісну модель впливу легування даними елементами на радіаційно-стимульовані структурні зміни в аморфних сплавах на основні Fe - Si - B. Доведено вплив електронного опромінення за кімнатної температури на подальшу кристалізацію аморфно-кристалічного сплаву на основі Fe - Si - B, яка відбувається за механізмом росту кристалів. Встановлено, що радіаційна чутливість магнітних характеристик нанокристалічних сплавів на основі системи Fe - Si - B - Cu - Nb є нижчою, ніж аморфних. Показано, що зміни магнітних характеристик нанокристалічних сплавів пов'язані зі структурними перетвореннями в аморфній матриці даних матеріалів. Обгрунтовано доцільність застосування радіаційної обробки як методу контрольованої зміни магнітних характеристик аморфних і нанокристалічних сплавів на основі Fe - Si - B.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К222.091 + К297.091 +
Шифр НБУВ: РА336343

Рубрики:

      
20.

Пиц М.В. 
Вплив атомних і структурних дефектів на електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / М.В. Пиц ; Прикарпат. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2001. — 20 с.: рис. — укp.

інверсного шару (для плівок n-PbTe) або до збагаченого надповерхневого шару (для плівок p-PbTe та p-SnTe). Встановлено, що ізохронний відпал плівок SnTe на повітрі до 670 К вже на початкових етапах призводить до окиснення олова й утворення на поверхні стабільних оксидів. Для плівок PbTe зафіксовано збагачення надповерхневого шару киснем і свинцем за рахунок дифузії останнього з глибини плівки та взаємодії з киснем.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К232.402.6 + К232.702.6
Шифр НБУВ: РА314154 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського