Розроблено теорію зонної структури та властивостей кристала, придатних йому за умов великих тисків. Розвинуто мікроскопічний підхід до розрахунку зв'язаних станів і повної енергії ізолятора на основі наближення Хартри - Фока у базисі атомних орбіталей, точно ортогоналізованих на різних вузлах кристала. Розвинуто кластерний розклад за групами атомів для розрахунку заповнених зон. Для розрахунку зон провідності модифіковано метод ортогоналізованих плоских хвиль шляхом використання блохівських функцій і енергій електронів заповнених зон. Без підгінних параметрів розраховано зонну структуру кристалічного неону в широкому інтервалі тиску. Оцінено характеристики викликаного тиском переходу ізолятор - метал.

  Скачати повний текст