Вперше зареєстровано ефект залишкового нагромадження молекулярного водню за сорбції з атмосфери, за кімнатної температури, у структурах на основі вільних шарів поруватого кремнію (ПК) і Pd, та відповідну тривалу зміну електрофізичних характеристик. Запропоновано нову модель адсорбції воднеподібних частинок у ПК, яка враховує покриття стінок пор силановими групами й описує кінетику адсорбції у початкові моменти. Проведено порівняння вмісту водню у ПК для різної кількості осадженого Pd у вільних шарах і різної технології виготовлення порошків. Оцінено швидкість виділення водню за рахунок реакції порошків ПК з водою, зв'язаною у твердому тілі.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено оптимальні температурні режими одержання гетерошарів з відтворюваними параметрами та характеристиками. Показано, що процес ізовалентного заміщення (ІВЗ) має дифузійний характер, визначено коефіцієнт і енергію активації дифузії кисню в селеніді цинку. Визначено енергії іонізації електрично активних центрів в об'єктах досліджень. Досліджено електричні та фотоелекричні характеристики вперше виготовлених гетеропереходів p-ZnO/n-Zn-Se. Виявлено, що гетерошари ZnO складаються з сильнодеформованих нанокристалітів, середні розміри яких складають 300 і 40 нм для ІВЗ і ФТО шарів. Показано, що крайове випромінювання обумовлене декількома рекомбінаційними каналами - анігіляцією вільних і зв'язаних екситонів, переходами за участю мілких рівнів і донорно-акцепторних пар. Встановлено, що низькоенергетичні смуги люмінесценції визначаються переходами через глибокі рівні, які утворені власними точковими дефектами.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вивчено просторовий розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної гратки в напружених гетероструктурах у межах самоузгодженої електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі. Доведено, що самоузгоджений дифузійно-деформаційний перерозподіл точкових дефектів виду центру розтягу призводить до зменшення їх середньої концентрації у внутрішньому шарі гетероструктури GaAs/InAs/GaAs у порівнянні з просторово-однорідним значенням.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

У моделі прямокутних потенціальних бар'єрів та наближенні ефективних мас квазічастинок побудовано теорію енергетичних спектрів електрона та дірки в складних еліптичних квантових дротах з радіальною гетероструктурою. Доведено, що дані спектри складаються з енергетичних підзон, які відповідають парним і непарним станам квазічастинок. Виявлено, що енергії електрона та дірки в даних станах мають різну залежність від величини еліптичності наносистем. На базі хвильових функцій електрона в еліптичній нанотрубці встановлено правила відбору та одержано залежності сил осциляторів міжпідзонних квантових переходів електрона у дипольному наближенні від величини еліптичності наногетеросистеми. Розроблено теорію енергетичних спектрів електрона та дірки у складних еліптичних квантових дротах з аксіальною гетероструктурою. З'ясовано, що період існування квазістаціонарних станів електрона у відкритій квантовій точці вздовж еліптичного квантового дроту та ефективні маси квазічастинки в енергетичних підзонах у надгратці вздовж еліптичного квантового дроту мають немонотонні залежності від еліптичності квантового дроту. У межах моделі діелектричного континууму удосконалено теорію енергетичного спектра інтерфейсних і обмежених оптичних фононів у еліптичному квантовому дроті та еліптичній нанотрубці. Показано, що енергії інтерфейсних поляризаційних коливань та потенціали поляризації інтерфейсних та обмежених фононів залежать від геометричних розмірів і величини еліптичності наносистем.

  Скачати повний текст

Досліджено фотовольтаїчний ефект у структурах метал - тонкий шар поруватого кремнію - кремній та показано, що поруватий кремній відіграє роль тунельно-прозорого діелектрика в зазначених структурах. Обгрунтовано методику визначення рекомбінаційних характеристик межі поділу поруватий кремній - кремній на підставі аналізу спектральних залежностей фотоструму за умов освітлення тильної поверхні p - n переходу. Визначено швидкість рекомбінацій на межі поділу у повітрі та вологій атмосфері. Завдяки числовому моделюванню одержано параметри фотоперетворення таких елементів. Запропонована технологія дозволяє уникнути фотолітографічного процесу під час формування контактної гребінки на фронтальній поверхні елемента. Експериментально показано "асиметрію" впливу полярності магнітного поля, прикладеного паралельно поверхні, на фоточутливість кремнієвих гетероструктур з тонкими шарами поруватого кремнію. Зроблено припущення, що зменшення фоточутливості у разі відхилення надлишкових носіїв магнітним полем до освітлюваної поверхні поруватого кремнію, зумовлене зміною темпу рекомбінації на межі поділу поруватий кремній - кремній за моделлю Стівенсона - Кейса. Зазначені структури можна використовувати як функціональні елементи мікроелектроніки.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

З'ясовано процеси, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію за умов його контакту з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними pH та розчинами біомолекул. Виявлено, що умови окиснення пористого кремнію, зокрема, вологість повітря та ультрафіолетове опромінення зразка, впливають на швидкість росту оксиду та структуру окисненого шару. Виявлено кореляцію між обробками пористого кремнію та положенням коливань OH-груп адсорбованої води. Показано, що фотолюмінесценція є чутливим методом для оцінки перетворень, що відбуваються у пористому кремнії. Установлено залежність швидкості росту інтенсивності його люмінесценції від pH водного розчину, а також зростання інтенсивності фотолюмінесценції за умов контакту цього кремнію з розчинами полінуклеїнових кислот. Виявлено чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до різних типів спіральних структур полінуклеотидів. Розглянуто механізм впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.

  Скачати повний текст

Установлено, що зміни магнітної сприйнятливості взаємопов'язані з генерацією кластерів та дислокаційних петель. Показано, що попереднє опромінення швидкими нейтронами прискорює генерацію парамагнітних центрів за наступних термічних обробок. Кінетика зміни магнітної сприйнятливості з тривалістю відпалу корелює з кінетикою процесів преципітації кисню у досліджених кристалах. Виявлено, що за вищої концентрації атомарного вуглецю у зразках більше вводиться парамагнітних центрів за процесу термообробки. Наявність у цих зразках ізовалентної домішки свинцю дещо сповільнює ведення парамагнітних центрів. Зроблено припущення, що взаємопов'язано з тим, що свинець утворює з частиною вуглецю нейтральні комплекси PbC, виключаючи останній з процесів термічного дефектоутворення. Установлено, що магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремнію суттєво відрізняються від магнітних властивостей об'ємного матеріалу і пояснюються особливостями їх кристалічної структури.

  Скачати повний текст

Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст