Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe:V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Робота присвячена комплексному дослідженню температурних нестабільностей фізичних властивостей (параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності, коефіцієнта Холла, рухливості носіїв заряду) в об'ємних кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe з метою встановлення впливу дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу (СФП), виявлення фазових переходів (ФП), зумовлених взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, а також встановлення специфіки прояву ФП в тонких шарах SnTe і надгратках SnTe/PbTe. У кристалах та тонких плівках SnTe з високою концентрацією катіонних вакансій крім відомого СФП спостерігаються, принаймні, ще два ФП в інтервалах 135 і 150 та 200-215 К, які напевно, пов'язані з процесами перебудови дефектної підсистеми кристалу. Характер прояву цих ФП залежить як від концентрації власних дефектів, так і від кінетичних факторів (швидкості нагріву-охолодження та ін.). Показано, що прояв СФП, властивого SnTe, у надгратках SnTe/PbTe істотно залежить від орієнтації росту шарів. У надгратках SnTe/PbTe з напруженими шарами виявлено надпровідний перехід з критичною температурою 3.4 К. Введення дислокацій невідповідності у міжфазну межу SnTe/PbTe призводить до пригнічення надпровідності.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено з'ясуванню впливу операційних технологічних факторів на фізичні властивості тонких плівок монохалькогенідів свинцю, олова і твердих розчинів на їх основі: Pb_1-xSn_xTe, PbSe_1-xTe_x, Pb_1-xSn_xSe, (PbSe)_1-x(SnTe)_x і (PbTe)_1-x(SnSe)_x (вирощених з парової фази методом гарячої стінки). Одержані поліноміальні рівняння, побудовані технологічні діаграми і оптимізована технологія забезпечують умови вирощування тонкоплівкового матеріалу із наперед заданими властивостями. Процеси вирощування, радіаційної і термічної обробок епітаксійних плівок описано єдиною моделлю френкелівських пар і рівнянням неперервності для концентрації дефектів. На основі моделі існування виродженої області з n-типом на поверхні p-PbSe проведено розрахунок вольт-фазних характеристик діодів Шотткі.

  Скачати повний текст

Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено кількісному експериментальному дослідженню процесів розсіювання та дифракції когерентного та некогерентного випромінювання на об'єктах різноманітної вимірності з метою визначення їх просторового розподілу, геометричних характеристик та дефектності розсіюючих поверхонь. На базі отриманих результатів розроблені оптичні методи контролю геометричних параметрів волочильного інструменту, просторового положення квазіодновимірних об'єктів, якості фотошаблонів та рівня дефективності приповерхневого шару напівпровідникових матеріалів. Розроблений оригінальний багатоканальний фоточутливий датчик для лазерної дифрактометрії.

  Скачати повний текст

Роботу присвячено теоретичному опису енергетичного спектра колективних збуджень типу фонон-палазмових мод, які спостерігались у штучних надгратках на основі GaAs. Визначено, що у надгратках уздовж шарів поширюються одна оптична й одна акустична мода, або дві акустичні фонон-плазмові хвилі, якщо хвильовий вектор не паралельний шарам. Виявлено, що у шаруватих провідниках, які містять дефектні шари, існують фонон-плазмові хвилі, локалізовані поблизу цих шарів. Відповідно до знака зсуву величин концентрації та маси носіїв заряду, які визначаються параметром відхилення DELTA, можливим є поширення двох локальних мод акустичного типу, або однієї оптичної та однієї оптичної локальної моди. Отриманий на підставі розрахунків спектр узгоджується з експериментальними даними у шаруватих ВТНП купратах за умови неоднорідного розподілу кисню у шарах. Одержано систему рівнянь, яка дозволяє описувати власні моди у шаруватих провідниках без додаткових обмежень, що пов'язані із періодичністю розташування шарів, а також однорідністю діелектричного середовища впоперек шарів. Чисельно та аналітично розраховано закони дисперсії геліконів, гелікон-плазмонів, квантових хвиль у шаруватих надгратках, а також з'ясовано спектр магнітодомішкових хвиль у шаруватих провідниках та надгратках, які містять домішкові стани.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіда кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів.

  Скачати повний текст

Дисертація присвячена з'ясуванню ролі поверхні кремнієвих кристалітів у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції пористого кремнію, одержаного анодним травленням. Показано, що існує дві ультрафіолетові та видима смуги збудження, яким відповідають різні компоненти смуги люмінесценції. Встановлено, що випромінювання може мати місце за відсутності квантоворозмірних кристалітів. Доводиться, що речовини, розташовані на поверхні кремнієвих кристалітів (окисли та оксигідриди), беруть участь у процесах поглинання світла збудження. Визначено, що утворення центрів безвипромінювальної рекомбінації (поверхневі центри кремнієвих окислів) є основною причиною падіння інтенсивності люмінесценції при термообробках зразків.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

В кристалах CdHgTe визначено кількісні умови конкурентоздатності механізмів рекомбінації, досліджено їх вплив на електропольову екстрацію носіїв. Досліджено фотопровідність в кристалах з фотоактивними включеннями. Виявлено механізм деградації, пов'язаний з утворенням насичених ртуттю вузькощілинних рекомбінаційно активних областей. Вивчено стимульовані зовнішніми діями процеси стабільного і метастабільного дефектоутворення і механізми перетворень електронних і фотоелектронних властивостей в об'ємних кристалах; в епітаксійних варізонних структурах, в т.ч. в підкладці, металургійній границі і нарощеному шарі; полікристалічних шарах на альтернативних підкладках з урахуванням взаємодії систем дефектів і фотоелектронних процесів в зернах і на їх межах, в т.ч. в буферних шарах CdTe.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено оптичні властивості та геометричні параметри квантово-розмірних структур (зокрема, надграток) та підкладок для їх отримання (GaAs, Si). Широкий спектральний діапазон електромагнітних випромінювань від рентгенівської до далекої інфрачервоної області дозволив представити мікрорельєф реальних поверхонь Si та GaAs як суперпозицію мікро- та макрорельєфів із відповідними величинами середньоквадратичних відхилень та кореляційних довжин. Пояснено розбіжність параметрів мікрорельєфу, отриманих оптичними методами та мікроскопією атомних сил різним характером отримуваної інформації (локальність - глобальність). Проаналізовано вплив механічних напружень у шарах надгратки (через розбіжність сталих компонент гратки) на зміну енергетичного положення критичних точок. Отримано енергетичні зонні параметри системи за моделлю діелектричної функції, проаналізовано їх залежність від товщин шарів та вмісту фосфору у твердому розчині.

  Скачати повний текст