Пошуковий запит: (<.>U=В379.222,022$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 41
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
|
| | |
|
1. |
Фреїк А.Д. Атомні дефекти і фізико-хімічні процеси в епітаксійних плівках селеніду свинцю: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / А.Д. Фреїк ; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. — Луцьк, 2004. — 20 с.: рис. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.222,022 + Шифр НБУВ: РА328613
Рубрики:
|
|
| | |
|
2. |
Стрільчук О.М. Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.М. Стрільчук ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 20 с. — укp.Досліджено дефектні стани, створювані залишковими домішками та дефектами гратки, їх взаємодію між собою і з екситонами, а також вплив цієї взаємодії на енергетичну структуру напівізолюючого спеціально нелегованого арсеніду галію. Експериментально показано, що в напівізолюючому GaAs спостерігається значна взаємодія дефектних станів (домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами). Визначено роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Отримано залежність між концентрацією вуглецю і концентрацією дивакансій галію та запропоновано модель, що пояснює цю залежність. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Шифр НБУВ: РА314059 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
3. |
Боледзюк В. Б. Властивості сполук впровадження водню, барію і йоду на основі шаруватих кристалів InSe та GaSe: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / В. Б. Боледзюк ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2010. — 20 с. — укp.Досліджено процеси впровадження водню в шаруваті кристали, його стан і локалізацію в кристалічній гратці в залежності від кількості впровадженого водню. Встановлено та пояснено концентраційні залежності положення основного екситонного максимуму та напівширини екситонної смуги поглинання водневих, барієвих та йодних інтеркалатів InSe та GaSe. Експериментально показано можливість використання кристалів InSe та GaSe в якості матеріалів для зберігання водню та встановлено концентраційну залежність оборотності впровадження водню у відсотках. Розроблено методику одержання нанорозмірних шаруватих кристалів InSe та GaSe ультразвуковим диспергуванням. Визначено залежність розмірів одержаних наночасток від природи диспергуючого середовища. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В371.236, 022 Шифр НБУВ: РА375078 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
4. |
Свірідова О. В. Вплив вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисненні: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Свірідова ; Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О., 2011. — 20 с. — укp.Досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлено механізми трансформації вихідних дефектів у процесах легування і окиснення кремнію. Запропоновано й експериментально підтверджено механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні та містять дефекти, які утворюються за іонного легування пластин кремнію. Встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях. Показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окиснених пластинах. Описано й експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окиснення пластин кремнію. Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій. Визначено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму та квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП у разі зростання густини дислокацій. Ппоказано, що відбір p-i-n-ФП за S-подібністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Шифр НБУВ: РА384044 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
5. |
Міщенко Л.А. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Л.А. Міщенко ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1998. — 16 с. — укp.Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe:V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
6. |
Гривул В.І. Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.І. Гривул ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2008. — 20 с. — укp.Комплексно досліджено вплив амфотерної домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук - перспективних матеріалів функціональної електроніки. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + Шифр НБУВ: РА361467
Рубрики:
|
|
| | |
|
7. |
Красько Вплив ізовалентної домішки олова на термічне та радіаційне дефектоутворення в кремнії: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Микола Миколайович Красько ; НАН України; Інститут фізики. — К., 2000. — 18 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.227,022 Шифр НБУВ: РА310890
Рубрики:
|
|
| | |
|
8. |
Верцімаха Вплив магнітних іонів та неоднорідностей і флуктуацій їх просторового розподілу на екситонні спектри в напівпровідникових гетероструктурах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Ганна Віталіївна Верцімаха ; НАН України; Інститут фізики. — К., 2000. — 19 с.: рис. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Шифр НБУВ: РА313597
Рубрики:
|
|
| | |
|
9. |
Галочкіна О. О. Вплив непараболічності енергетичного спектру носіїв на кінетичні коефіцієнти p-CdSe та p-CuInSe2: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. О. Галочкіна ; Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича. — Чернівці, 2010. — 20 — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.1,022 + В379.222,022 + В379.25,022 Шифр НБУВ: РА371175 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
10. |
Кобзар О.О. Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.О. Кобзар ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2006. — 19 с. — укp.Вивчено процеси дефектно-домішкової взаємодії, які відбуваються у кремнії, легованому оловом та вуглецем, за дії іонізувального опромінення та подальших термообробок. Установлено, що домішкові атоми Sn в опроміненому кремнії за відпалу ефективно взаємодіють з міжвузловинним вуглецем з утворенням центрів "міжвузловинний вуглець + олово". Експериметнально показано, що центри можуть існувати за двох структурних конфігурацій з різною термічною стабільністю. Оцінено ефективність взаємодії міжвузловинного вуглецю з оловом. Змодельовано енергетичну структуру виявленого дефекту. Установлено, що олово значною мірою впливає на дифузію центрів "вакансія + кисень" у кремнії. Дифундуючи за відпалу, центри "вакансія + кисень" ефективно взаємодіють з домішковими атомами Sn з утворенням нових дефектів "олово + вакансія + кисень". Для виявлених центрів визначено енергію активації відпалу. Показано, що у кремнії n-типу легування оловом призводить до зниження радіаційної стійкості, а у кремнії p-типу наявність олова може призводити до її зростання. Визначено діапазон доз опромінення та концентрації мілких акцепторів, за яких Si:Sn p-типу є більш радіаційно стійким, ніж Si. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + Шифр НБУВ: РА349019
Рубрики:
|
|
| | |
|
11. |
Кнорозок Л.М. Деформаційні зміни кристалічної гратки і енергетичного спектру електронної підсистеми антимоніду індію при подвійному легуванні: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Л.М. Кнорозок ; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 1999. — 17 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
12. |
Клімов А.О. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / А.О. Клімов ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 18 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.222,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
13. |
Биков І.П. Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / І.П. Биков ; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2004. — 34 с.: іл. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.7,022 + В379.222,022 Шифр НБУВ: РА330629
Рубрики:
|
|
| | |
|
14. |
Івасів З.Ф. Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / З.Ф. Івасів ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2000. — 16 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + З854.22-01 Шифр НБУВ: РА310217 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
15. |
Оберемок О.С. Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.С. Оберемок ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2005. — 16 с.: рис. — укp.Досліджено вплив нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу меж розділу фаз у твердому тілі, вивчено механізми прискореної дифузії домішок, їх електричну активацію та преципітацію, а також процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у шаруватих структурах: мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка. З'ясовано вплив ультразвукового (УЗ) випромінювання на процеси дифузії дефектів за умов імплантації іонів бору й аргону у кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розщеплення діелектричних матриць. Досліджено активацію домішки As після ізохронних й ізотермічних відпалів за присутності кисню та вуглецю. Доведено, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром у разі швидких термічних відпалів. Виявлено, що УЗ опромінення у разі імплантації призводить до зменшення дефектності у вихідних і відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору у кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + Шифр НБУВ: РА337038
Рубрики:
|
|
| | |
|
16. |
Пузенко О.О. Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.О. Пузенко ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 1999. — 17 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25,022 + В379.222,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
17. |
Смирнов Екситонні збудження у вуглецевих нанотрубках: автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.02 / Олексій Анатолійович Смирнов ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. — О., 2009. — 20 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В371.236,022 Шифр НБУВ: РА365932
Рубрики:
|
|
| | |
|
18. |
Кислюк В.В. Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.В. Кислюк ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 16 с. — укp.Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіда кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.222,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
19. |
Пелещак Р.М. Електрон-деформаційні ефекти у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Р.М. Пелещак ; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. — Л., 2001. — 36 с. — укp.Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.371,022 Шифр НБУВ: РА313978 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
20. |
Савченко Д.В. Електронна структура та кінетичні властивості парамагнітних домішок та дефектів у карбіді кремнію: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Д.В. Савченко ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2010. — 19 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.271,022 Шифр НБУВ: РА371525 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| |