![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.224$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16
|
| | | | |
1. |
Галян В.В. Вплив модифікаторів (HgSe, Cusub2/subSe) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.В. Галян ; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. — Луцьк, 2003. — 17 с.: рис. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + В379.271.42,022 + Шифр НБУВ: РА324276
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Кончиць А.А. Динаміка спінових систем та мікрохвильове поглинання в напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / А.А. Кончиць ; Ін-т фізики напівпровідників НАН України. — К., 2002. — 31 с. — укp.Досліджено природу та механізм спін-залежних процесів носій-домішкових взаємодій та виявлено новий фізичний ефект - індуковану процесами захоплення носіїв спінову орієнтацію локальних центрів у напівпровідниках. У кремнії з протяжними дефектами виявлено новий тип сигналів резонансного мікрохвильового поглинання в електричній компоненті НВЧ поля - електродипольний спіновий резонанс, пов'язаний з особливостями руху електронів у низьковимірних структурах. Вперше описано природу сигналів мікрохвильового відгуку систем під час переходу до стану надпровідності, зокрема, дислокаційно-індуковану (надгратки PbTe - PbS). Вивчено вплив взаємодії спін-систем вільних та локалізованих електронів за умов виродження електронного спектру на магнітні та магніто-механічні властивості 3d твердих розчинів. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022 + В379.224,022 Шифр НБУВ: РА318789 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Шовак І.І. Електрофізичні та оптичні властивості градієнтних структур на основі склоподібного Assub2/subSsub3/sub: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / І.І. Шовак ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2001. — 16 с. — укp.Досліджено структури змінного складу за товщиною, одержані на основі склоподібного As2S3 та модифікаторів Al, Bi, Pb. Розглянуто фізико-технологічні умови одержання градієнтних структур з керованим і відтворюваним розподілом складових компонентів, проведено теоретичну оцінку параметрів осадження компонентів пари на підкладку, вибрано й оптимізовано умови напилення шарів. Досліджено вплив концентрації модифікаторів, що вводяться, на електрофізичні та оптичні властивості градієнтних структур. Показано, що енергія активації електропровідності та оптична ширина забороненої зони змінюються монотонно (майже лінійно) зі зміною введеного металу. Виявлено темнову та фотоелектрорушійну сили, досліджено вплив на її величину та полярність концентраційного профілю та типу металів, які містить градієнтна структура. Виникнення електрорушійної сили віднесено до інтегральних ефектів (хімічного й електропольового), вказано на можливість керування спектральними характеристиками структури шляхом зміни її товщини та складу. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + В379.27,022 + В379.24.022 Шифр НБУВ: РА312016 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
4. |
Голомб Коливні спектри стекол As(Ge)xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів та першопринципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Роман Михайлович Голомб ; Ужгородський національний ун-т. — Ужгород, 2007. — 20 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + В379.24,022 Шифр НБУВ: РА350017
Рубрики:
|
| | | | |
5. |
Северин В.С. Механізми світлочутливості системи халькогенідний склоподібний напівпровідник - метал: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.С. Северин ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2002. — 17 с. — укp.Визначено, що властивості світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал обумовлює потенціальний бар'єр на межі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Встановлено, що зміна електронної складової бар'єра визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Розв'язок рівняння дифузії дає вираз для залежності зміни товщини шару металу d від часу опромінення t, до якого входить ряд факторів (інтенсивність світла, довжина хвилі, температура, попереднє освітлення системи, товщини шарів системи, наявність парів води). Одержаний вигляд d = d(t) визначає залежність світлочутливої системи, її енергії активації, ефективної енергії активації дифузії металу у ХСН від наведених факторів. Вирази, отримані для даних залежностей, пояснюють комплекс експериментальних властивостей системи. Враховано залежність коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Обгрунтовано, що процес індукційного періоду кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений цією залежністю. Визначено, що експериментально отримані залежності світлочутливості системи від товщини шару металу, напрямку її освітлення та особливості кінетики проникнення металу до ХСН обумовлено скінченністю товщини шарів системи. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В379.271.42,022 + В379.224,022 Шифр НБУВ: РА320021 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
6. |
Юркович Н.В. Моделювання та фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібних халькогенідів германія: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Н.В. Юркович ; Ужгор. нац. ун-т. — Ужгород, 2004. — 16 с. — укp.Виявлено, що домішкові атоми Te (1 - 3 ат. %) є електрично неактивними і не призводять до появи домішкової провідності. Встановлено, що зі збільшенням концентрації Te максимуми в спектрах збудження фотолюмінесценції зсуваються в низькоенергетичну область спектра, що свідчить про зв'язок процесу збудження фотолюмінесценції з оптичними переходами за участі локалізованих станів у хвості дозволених зон. Встановлено, що в електронно-дефектній підсистемі проявляються зміни фізичних властивостей об'ємних і тонкоплівкових структур, що є наслідком різних механізмів входження модифікатора в некристалічні матриці та основою керованої зміни параметрів функціональних елементів для мікро- та оптоелектроніки. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В379.224,022 + Шифр НБУВ: РА334414
Рубрики:
|
| | | | |
7. |
Рубіш В.В. Модифікування халькогенідних склоподібних напівпровідників на основі миш'яку і сурми: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.В. Рубіш ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2005. — 19 с. — укp.Досліджено структуру та властивості стекол і плівок у системах As(Sb) - S(Se) та їх трансформації залежно від хімічного складу, умов одержання, за дії опромінення та відпалу, а також можливості використання цих матеріалів як неорганічних резистів з високою роздільною здатністю для голографії, лазерної й оптичної літографії. Здійснено розрахунок критичних швидкостей розплавів, визначено оптимальні режими синтезу стекол та одержання плівок на їх основі. Досліджено фізико-хімічні та кристалізаційні параметри стекол, установлено взаємозв'язок особливостей композиційних залежностей цих параметрів зі станом відповідних систем (за кінетичними діаграмами) та структурою скла. Показано, що всі досліджені стекла та плівки мають мікрогетерогенну будову.As і S(Se). З'ясовано залежність структури і властивостей досліджених матеріалів від умов модифікування. Установлено, що експонування плівок селенідів сурми сфокусованим лазерним променем призводить до їх кристалізації. Вивчено процеси аморфізації плівок і вплив термовідпалу на структуру й оптичні властивості плівок у системах Sb - Se та In - Sb - Se. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + Шифр НБУВ: РА338773
Рубрики:
|
| | | | |
8. |
Кришеник В.М. Наведена анізотропія та релаксаційні ефекти в аморфних халькогенідах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.М. Кришеник ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2005. — 20 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + З843.324-06 + Шифр НБУВ: РА340914
Рубрики:
|
| | | | |
9. |
Ніконова О.П. Низькотемпературні аномалії фізичних властивостей структурно-невпорядкованих матеріалів у приладових системах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / О.П. Ніконова ; Одес. держ. політехн. ун-т. — О., 2001. — 20 с. — укp.На основі моделі м'яких атомних потенціалів проведено розрахунки щільності станів спектра елементарних коливних збуджень (дворівневих і релаксаційних систем, гармонічних осциляторів). Побудовано еквіпотенційні поверхні дворівневих систем для дослідження низькоенергетичних квазілокальних збуджень. Одержано щільність станів для гармонічних осциляторів методом когерантного потенціалу. Виявлено, що гармонічні осцилятори відповідають за форму піка в щільності коливних станів. Показано, що в рамках загальної картини щільності станів вдається провести інтерпретацію аномальних властивостей невпорядкованих систем (залежності теплоємності від температури і часу, особливостей релаксаційного поглинання, однорідного уширення безфононних ліній в спектрах поглинання домішків. Встановлено вплив прискореної дифузії домішок на електронні властивості невпорядкованих систем. Наведено нову інтерпретацію відомих метастабільних властивостей, їх відношення до механізмів деградації систем приладів. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.37,022 + В379.224,022 Шифр НБУВ: РА315950 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
10. |
Головчак Р.Я. Оптико-спектроскопічні особливості радіаційно-індукованих ефектів в змішаних миш'яко-германієвих сульфідних стеклах: Автореф. дис. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Р.Я. Головчак ; Ін-т фіз. оптики М-ва освіти і науки України. — Л., 2004. — 20 с.: рис. — укp.Вперше досліджено вплив <$Egamma>-опромінення на край фундаментального оптичного поглинання ХС змішаної потрійної системи As - Ge - S. Показано, що для всіх опроміненних зразків характерним є низькоенергетичний зсув краю фундаментального оптичного поглинання з одночасним зменшенням крутизни його нахилу. Характер переключень ковалентних зв'язків ідентифіковано методом ІЧ Фур'є спектроскопії в області власного поглинання XC lp- та тетрагонального типів. Вперше встановлено, що виявлені оптичні радіаційно-індуковані ефекти є нестабільними в часі, поступово затухають протягом 2-3 місяців зберігання опроміненних зразків за нормальних умов. Виділено статичну та динамічну (пост-радіаційну) складові цих ефектів.феноменологічно описано за допомогою дробово-експоненціальної релаксаційної функції. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 в734.5,022 + В379.227 в734.5,022 + Шифр НБУВ: РА328090
Рубрики:
|
| | | | |
11. |
Івон О.І. Склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал - напівпровідник: автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.І. Івон ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2008. — 38 с. — укp.Досліджено їх фазовий склад, мікроструктуру, електропровідність, вольт-амперні характеристики (ВАХ). Встановлено вплив термоциклювання на електрофізичні властивості даних матеріалів. Вперше виявлено гістерезис і розмірний ефект ВАХ у матеріалах з ФПМН. Одержано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує дані ефекти. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В379.224,022 + Л434.8-1 + Шифр НБУВ: РА356745
Рубрики:
|
| | | | |
12. |
Надь Ю.Ю. Спектроскопія метастабільних дефектів в склоподібних напівпровідниках SbVxD SeV1-xD: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю.Ю. Надь ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2002. — 16 с. — укp.Вивчено метастабільні стани в щілині рухливості некристалічних селена та селенідів. Залучення різноманітних експериментальних методик, зокрема апробованих класичних, а також нетрадиційних дозволило провести ефективну спектроскопію станів, локалізованих практично на всьому енергетичному проміжку щілини рухливості. При введенні в аморфний селен сурми встановлено появу рівнів захоплення з глибиною залягання О,34 та 0,45 еВ, концентрація яких послідовно зростає зі збільшенням вмісту сурми. Виявлено унікальний ефект відсутності транспорту фотоінжектованих дірок, зареєстровано лише перенесення заряду електронами. Дрейфова рухливість цих носіїв підпорядковується активаційному закону з енергією, яка добре узгоджується з результатами термостимульованої провідності та деполяризації. Показано, що введення сурми в селен призводить до модифікації спектра локалізованих станів поблизу рівня Фермі. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + В379.22в734.5,022 Шифр НБУВ: РА318929 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
| | | | |
13. |
Рубіш В.М. Структура і властивості модифікованих некристалічних халькогенідів миш'яку та сурми: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.М. Рубіш ; НАН України. Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова. — К., 2007. — 32 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + Шифр НБУВ: РА352512
Рубрики:
|
| | | | |
14. |
Кондрат О.Б. Формування гетеростуктур Gesub33/subAssub12/subSesub55/sub - p-Si, механічні властивості та особливості переносу носіїв заряду в них: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.Б. Кондрат ; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 1998. — 16 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022
Рубрики:
|
| | | | |
15. |
Мішак О.О. Фото- і термоіндуковані перетворення в тонких шарах та багатошарових наноструктурах із халькогенідних стекол: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.О. Мішак ; Ужгородський держ. ун-т. — Ужгород, 1998. — 16 с. — укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022
Рубрики:
|
| | | | |
16. |
Заїка В.М. Явища локалізації та міграції носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.М. Заїка ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2000. — 18 с. — укp.Досліджено явища локалізації та міграції носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук. Методом низькотемпературної термолюмінесценції та фракційного термовисвічування доведено, що пастками для носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук є власні "хвостові" локалізовані стани. Доведено, що їх розподіл має квазінеперервний характер, а функція густини розподілу - гаусову форму. Визначено величину параметра енергетичного розупорядкування для ряду аморфних плівок кремнійорганічних сполук. Виявлено чинники, що впливають на величину параметра енергетичного розупорядкування аморфних плівок кремнійорганічних сполук. Досліджено фотодеградацію аморфних плівок поліметилфенілсилану. Виявлено, що внаслідок опромінення плівок поліметилфенілсілану ультрафіолетовим світлом за кімнатної температури утворюються глибокі пастки для носіїв заряду. Визначено умови, за яких процеси фотодеградації мають повністю оборотний характер. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.226 Шифр НБУВ: РА310398 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|