Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Комплексно вивчено фізичні властивості вирощених кристалів.Розроблено моделі дефектоутворення, застосування яких сприяло створенню спеціального ростового устаткування та оптимізації технологічних режимів вирощування, що сприяло виходу якісних кристалів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено процеси силіцидоутворення, що мають місце у багатошарових періодичних покриттях Sc/Si і Sc/W/Si/W з періодом 20 - 35 нм в інтервалі температур 403 - 1243 К. Реакція аморфізації триває за дифузійною кінетикою, переважним дифузантом є кремній. Дифузія кремнію через шар аморфного скандій-кремнієвого сплаву характеризується низькими значеннями енергії активації (0,6 еВ) та передекспоненціального множника. Доведено, що дифузійні бар'єри з номінальною товщиною вольфраму більше ніж 0,6 нм якісно змінюють кінетику твердофазної аморфізації: після того, як процеси силіцидоутворення в бар'єрних шарах завершуються та їх товщина стабілізується, параболічний закон росту аморфного силіциду ScSi змінюється на лінійний.

  Скачати повний текст

Проаналізовано процеси фазової взаємодії в системі In - Ga - Se - O. З'ясовано особливості процесів окиснення сполук системи. Показано, що в напівпровідниковій системі In - Ga - Se найбільш стійкими під час термообробки на повітрі є півтораселеніди індію та галію.

  Скачати повний текст

Робота присвячена комплексному дослідженню температурних нестабільностей фізичних властивостей (параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності, коефіцієнта Холла, рухливості носіїв заряду) в об'ємних кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe з метою встановлення впливу дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу (СФП), виявлення фазових переходів (ФП), зумовлених взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, а також встановлення специфіки прояву ФП в тонких шарах SnTe і надгратках SnTe/PbTe. У кристалах та тонких плівках SnTe з високою концентрацією катіонних вакансій крім відомого СФП спостерігаються, принаймні, ще два ФП в інтервалах 135 і 150 та 200-215 К, які напевно, пов'язані з процесами перебудови дефектної підсистеми кристалу. Характер прояву цих ФП залежить як від концентрації власних дефектів, так і від кінетичних факторів (швидкості нагріву-охолодження та ін.). Показано, що прояв СФП, властивого SnTe, у надгратках SnTe/PbTe істотно залежить від орієнтації росту шарів. У надгратках SnTe/PbTe з напруженими шарами виявлено надпровідний перехід з критичною температурою 3.4 К. Введення дислокацій невідповідності у міжфазну межу SnTe/PbTe призводить до пригнічення надпровідності.

  Скачати повний текст

<$Eroman {Cu sub 2 Se}> - HgSe - <$Eroman {SnSe sub 2 }> на концентраційний трикутник. Уперше встановлено існування тетрарної сполуки <$Eroman {Cu sub 6 Hg sub 0,92 GeS sub 5,92 }> та області гомогенності для тетрарної сполуки <$Eroman {Cu sub 2 HgGeSe sub 4 }> (область гомогенності за 670 К локалізована за перерізом HgSe - <$Eroman {Cu sub 2 GeSe sub 3 }> у концентраційному інтервалі 33 - 50 мол. % HgSe). Визначено кристалічну структуру тетрарних сполук <$Eroman {Cu sub 2 HgGe(Sn)S(Se) sub 4 }> та <$Eroman {Cu sub 6 Hg sub 0,92 GeS sub 5,92 }>. У германійвмісних системах установлено існування областей склоутворення та визначено параметри склоподібних сплавів (енергію оптичної іонізації та характеристичні температури).

  Скачати повний текст