На підставі спектрально-кінетичних досліджень люмінесценції чистих та активованих галоїдних сполук визначено ряд особливостей процесів релаксації високоенергетичного збудження за участю остовних дірок. Виявлено взаємодію остовних дірок з поверхневими дефектами та електронними домішковими станами, розташованими вище вершини валентної зони кристала.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розраховано закони дисперсії та хвильові функції, електронні властивості напівпровідникових кристалів. Розроблено комп'ютерні програми розрахунку самоузгоджених енергетичних спектрів напівпровідників з граткою типу алмазу. Вперше побудовано алгоритм тривимірної апроксимації енергетичних спектрів кремнію та германію на ортогональних поліномах Чебишева. На базі розв'язків секулярного рівняння отримано матриці псевдогрінівського оператора, за якими розраховано густини електронних станів. Для прискорення розрахунків резольвенти псевдогрінівського оператора використано тривимірну апроксимаційну схему на ортогональних поліномах Чебишева. Алгоритм і програма розрахунку матриці псевдогрінівського оператора - база для дослідження електронної будови невпорядкованих систем.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено особливості роботи діодів на основі арсеніду галію, що містить нейтральні центри захоплення носіїв заряду та нестійкості струму, що виникають у цих діодах за умов міждолинного переносу електронів, ударної іонізації домішок і захоплення електронів у сильних електричних полях. Вивчено роботу генераторів на основі цих діодів і перехідні процеси, що в них відбуваються, за різних профілей легування. Розглянуто спільну роботу додів з міждолинним переносом електронів і діодів з негативною диференціальною провідністю, зумовленою тунельними ефектами. Установлено особливості їх використання для одержання генерації у широкому діапазоні частот. Розглянуто можливості помноження частоти з використанням тунельних явищ. Досліджено роботу діодів з міждолинним переносом електронів з тунельним і резонансно-тунельними контактами. Визначено умови одержання генерації діодів з таким контактом за рахунок ефекту міждолинного переносу електронів, а також за рахунок негативної диференціальної провідності контакту.

  Скачати повний текст

Розглянуто структуру, електрофізичні й оптичні властивості органічних напівпровідників на основі спряжених поліариленів - поліпарафенілену, поліфенілацетилену, поліаніліну та поліамінофенолів, політолуїдину, поліметоксіаніліну, досліджені вперше, у дрібнокристалічних і плівкових зразках на оптично-прозорих поверхнях. Показано, що досліджені об'єкти є аморфно-кристалічними матеріалами з рівнем кристалічності до 50 %. Визначено, що за умови T = 293 - 533 К тепературна залежність провідності досліджуваних зразків описується експоненціальним рівнянням з від'ємним коефіцієнтом опору. З'ясовано, що протонне легування аміновмісних поліариленів сприяє зменшенню енергії активації провідності від 0,59 до 0,35 еВ з одночасним збільшенням рівня кристалічності від 25 до 43 %. У плівкових композитах виявлено значну анізотропію провідності, ступінь якої зростає зі збільшенням вмісту електропровідного полімеру. Вивчено оптичні спектри поглинання розчинів і тонких шарів поліариленів на поверхні оксиду стануму. Досліджено вплив протонного та електрохімічного легування на спектри поглинання полі-орто-толуїдину. Досліджено електрохромні і термохромні властивості аміновмісних поліариленів. Встановлено, що характер термохромних змін залежить від структури та електронних властивостей полімеру. Розроблено нові пристрої для перетворення енергії, оптичний елемент з полімерним електрохромним шаром і спосіб одержання електропровідних полімерних композитів.

  Скачати повний текст

Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору у Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які зумовлені енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фонноних і плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC і структурах на їх основі. Доведено можливість визначення оптичних та електрофізичних властивостей тонких легованих плівок оксиду цинку на діелектричних і напівпровідникових підкладинках в області "залишкових променів" плівки та підкладинки методами спектроскопії порушеного повного внутрішнього відбивання та ІЧ-відбивання. На базі проведених досліджень розроблено безконтактний спосіб визначення концентрації та рухливості вільних носіїв зарядів у полярних кристалах. Створено оптико-механічний модулятор світлового потоку та неруйнівний спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів.

  Скачати повний текст

В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв'язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар'єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар'єрах вказаних структур знаходяться глибоких центри. Показано, що глибокі домішки кардинальним чином змінюють тунельні спектри невпорядкованих надграток різних типів. Пропонуються нові версії квазіперіодичних надграток Фібоначчі, а також ієрархічних НГ і аналізуються їх спектри. Продемонстровано сильний вплив розсіювачів на енергетичні спектри мезокристалів, транспортні властивості L-подібних квантових хвильоводів, тунельні спектри альтернованих надграток різних типів, характеристики контакту метал-напівпровідник. Розглянуто також деякі питання утворення глибоких станів в напівпровідниках.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст