Скачати повний текст

Досліджено механізми перенесення заряду під час переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах з домішками перехідних металів. У даних розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного. В широкому інтервалі температур і тисків проведено експериментальні дослідження електропровідності і термоелектрорушійної сили. Запропоновано фізичні моделі, які дозволяють пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості під час переходу метал - неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії. Вивчено та рекомендовано до використання як припоїв сплави на основі олова, які, на відміну від сплавів на основі свинцю, є екологічно безпечними.

  Скачати повний текст

Досліджено електронні та фононні теплові хвилі у напівпровідниках у разі поверхневого й об'ємного поглинання модульованого електромагнітного випромінювання. Вивчено теплові хвилі у двошарових структурах. Отримано та проаналізовано температурні розподіли в електронній та фононній підсистемах. Досліджено термоелектричний метод детектування електронної температури, а також вплив теплових параметрів поверхонь та інтерфейсу на поширення теплових хвиль у двошаровій системі. Запропоновано загальний підхід для визначення ефективних тепло- та температуропровідностей у межах фототермічного експерименту.

  Скачати повний текст

Відзначено, що цей ефект сильніше виявляється у плівкових зразках. Проведено порівняння впливу тиску та магнітного поля на транспортні властивості керамічних і плівкових зразків манганітів з надлишком марганцю, що мають однакову сполуку. Установлено наявність лінійного підвищення температури Кюрі та більш інтенсивного переходу метал-діелектрик під тиском. Зроблено висновок, що ефекти тиску та магнітного поля більшою мірою виявляються у плівкових зразках, ніж у кераміках. Для манганітів з надлишком марганцю такі дослідження проведено вперше.

  Скачати повний текст

З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на підставі порівнянь теоретично одержаних значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними одержано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PbS, PbSe та PbTe n-типу провідності. Проаналізовано вплив механізмів розсіювання, які реалізуються у халькогенідах свинцю на кінетичні коефіцієнти (електропровідність, термо-електрорушійна сила, теплопровідність). Показано можливість оптимізації основних термоелектричних параметрів завдяки впливу на превалюючі механізми розсіювання.

  Скачати повний текст

Визначено, що властивості світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал обумовлює потенціальний бар'єр на межі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Встановлено, що зміна електронної складової бар'єра визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Розв'язок рівняння дифузії дає вираз для залежності зміни товщини шару металу d від часу опромінення t, до якого входить ряд факторів (інтенсивність світла, довжина хвилі, температура, попереднє освітлення системи, товщини шарів системи, наявність парів води). Одержаний вигляд d = d(t) визначає залежність світлочутливої системи, її енергії активації, ефективної енергії активації дифузії металу у ХСН від наведених факторів. Вирази, отримані для даних залежностей, пояснюють комплекс експериментальних властивостей системи. Враховано залежність коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Обгрунтовано, що процес індукційного періоду кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений цією залежністю. Визначено, що експериментально отримані залежності світлочутливості системи від товщини шару металу, напрямку її освітлення та особливості кінетики проникнення металу до ХСН обумовлено скінченністю товщини шарів системи.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вивчено закономірності впливу структури, електричних параметрів, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічний відпал, радіаційне опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та його аналогів. Встановлено, що дрібнодисперсність, збільшення товщини в межах 0,05-0,5 мкм, ізотермічний відпал у вакуумі приводять до зростання термоелектричної добротності тонкоплівкового матеріалу. Термовідпал плівок n-PbTe у атмосфері кисню та їх радіаційне опромінення за рахунок утворення потенціальних бар'єрів на границях зерен при термодифузії і радіаційно-стимульованих процесах обумовлюють аномально високі значення термо-е.р.с.

  Скачати повний текст

Досліджено їх фазовий склад, мікроструктуру, електропровідність, вольт-амперні характеристики (ВАХ). Встановлено вплив термоциклювання на електрофізичні властивості даних матеріалів. Вперше виявлено гістерезис і розмірний ефект ВАХ у матеріалах з ФПМН. Одержано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує дані ефекти.

  Скачати повний текст

Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи.

  Скачати повний текст

Досліджені електрофізичні властивості, структура, елементний та фазовий склад металевих плівок Cr, Ni, Cu, V, Sc в умовах взаємодії з атомами та молекулами залишкової атмосфери або напівпровідникового покриття Ge та Si. Встановлений ефект зменшення температурного коефіцієнта опору та коефіцієнта поздовжньої тензочутливості, що пов'язується зі збільшенням коефіцієнта проходження межі зерна електронами у плівках металів після нанесення покриття та відпалювання.

  Скачати повний текст

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

  Скачати повний текст

Створено комп'ютеризований сумісний фототермоакустичний (ФТА) та фотоелектричний (ФЕ) мікроскоп, принцип дії якого базується на використанні одночасно збуджених теплових хвиль і хвиль нерівноважних електронно-діркових пар як носіїв інформації про властивості напівпровідників. Вивчено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Одержано ФТА та ФЕ топограми. Досліджено пластини кремнію, імплантовані іонами за методами ФТА мікроскопії та виміру зміни коефіцієнта відбиття напівпровідників під дією модульованого лазерного опромінювання. Проведено порівняльний аналіз ФТА та ФЕ зображень вказаних структур на підставі результатів якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають за умов технологічного циклу їх виготовлення.

  Скачати повний текст

Розроблено теорію явищ переносу в анізотропних напівпровідникових кристалах типу p-Ge і детально проаналізовано можливості анізотропних оптикотермоелементів (АОТ), які використовуються для реєстрації променевих потоків різної потужності та непервного контролю за ними. За допомогою методу параметра анізотропії розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge з урахуванням реальної структури енергетичного спектра та специфіки механізмів розсіяння на іонізованих домішках, акустичних, оптичних фононах і дислокаціях за наявності електричного і магнітного полів та градієнта температури. Одержано аналітичні вирази функції розподілу легких та важких дірок Ge, проведено дослідження температурних і польових залежностей рухливості, коефіцієнта Холла, холл-фактора, диференціальної термоедс, а також впливу ефекту фононного захоплення на величину термоедс. Проведено дослідження поперечної термоедс, ККД і вольт-ватної чутливості АОТ для антипаралельних і паралельних напрямків градієнта температури. Побудовано метод розрахунку двомірного розподілу температури в об'ємі АОТ з врахуванням оптичного поглинання. Досліджено вплив двомірного розподілу температури та термоедс і вольт-ватну чутливість АОТ за відповідних крайових умов для режимів оптичного пропускання, об'ємного та поверхневого поглинань.

  Скачати повний текст