Пошуковий запит: (<.>U=В379.371,0$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
|
| | |
|
1. |
Скітер І.С. Взаємозв'язок поляризації та об'ємного заряду в напівкристалічних та аморфних плівках органічних активних діелектриків: Автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.10 / І.С. Скітер ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. — О., 1999. — 16 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326,022 + В379.371,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
2. |
Пелещак Р.М. Електрон-деформаційні ефекти у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Р.М. Пелещак ; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. — Л., 2001. — 36 с. — укp.Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.371,022 Шифр НБУВ: РА313978 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
| | |
|
3. |
Гой Електронні та фононні властивості фоточутливих напівпровідникових сполук типу AI BIII CVI2: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Руслана Богданівна Гой ; Ужгородський держ. ун-т. — Ужгород, 2000. — 17 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,022 Шифр НБУВ: РА312350
Рубрики:
|
|
| | |
|
4. |
Борисенко С.В. Електронна будова оксидів Ln2Ti2O7 (Ln=Sm-Lu) з структурою пірохлору: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / С.В. Борисенко ; НАН України, Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова. — К., 1998. — 20 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.436-2 + В379.371,022
Рубрики:
|
|
| | |
|
5. |
Олійник Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-XZnXTe для електронної техніки: автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сергій Володимирович Олійник ; Харківський національний ун-т радіоелектроніки. — Х., 2008. — 19 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,022 + В379.34,022 Шифр НБУВ: РА358452
Рубрики:
|
|
| | |
|
6. |
Хвищун Особливості п'єзоопору в неопромінених і гамма-опромінених монокристалах германію та кремнію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Микола В'ячеславович Хвищун ; Волинський держ. ун-т ім. Лесі Українки. — Луцьк, 2002. — 18 с. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + В379.371,022 Шифр НБУВ: РА320542
Рубрики:
|
|
| | |
|
7. |
Козаченко В.В. Фототермоакустичний ефект в шаруватій структурі тверде тіло - п'єзоелектрик: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.В. Козаченко ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2005. — 17 с. — укp.Запропоновано теоретичну модель фототермоакустичного ефекту у шаруватій структурі: тверде тіло - п'єзоелектрик для найбільш загального випадку - без обмежень на оптичні та теплові властивості твердого тіла. Проаналізовано фототермоакустичний (ФТА) ефект для випадків твердих тіл з суттєво різними тепловими й оптичними властивостями. З метою уникнення впливу фотоопромінювання напівпровідника у разі фототермоакустичних досліджень на термопружні параметри зразка запропоновано у відповідній шаруватій структурі збуджувати фототермоакустичні коливання опроміненням п'єзоелектрика. Показано, що у вільній п'єзоелектричній пластині ФТА ефект визначається тільки первинним піроелектричним ефектом. На базі запропонованої моделі ФТА ефекту у шаруватій структурі тверде тіло - п'єзоелектрик створено методи визначення деяких пружних, теплових і електричних параметрів твердих тіл. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,022 + Шифр НБУВ: РА337552
Рубрики:
|