Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В381.54,022$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Кульчинський Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та гамма-випромінювання на основі CdxHg1-xTe(x 0.6): Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Віктор Васильович Кульчинський ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2007. — 20 с.: рис. — укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В381.54,022 + В381.54,022 Шифр НБУВ: РА350537
Рубрики:
|
| | | | |
2. |
Захарченко О.О. Моделювання дозиметричних властивостей детекторів гамма-випромінювання на основі високоомних напівпровідників: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.21 / О.О. Захарченко ; Харк. фіз.-техн. ін-т. — Х., 2009. — 20 с. — укp.Розроблено фізичну та математичну модель процесів, що відбуваються в напівпровідникових детекторах під час взаємодії з gamma-випромінюванням. Проаналізовано, що введення фактора захоплення до залежності ширини піка повного поглинання від енергії gamma-випромінювання дозволило одержати кількісний збіг розрахованих і виміряних амплітудних спектрів CdTe (CdZnTe) детекторів як в області переважання фотоефекту, так і в області домінування комптонівського розсіяння. Розроблено методику відновлення функцій відгуку CdTe (CdZnTe) детекторів за умов значних рівнів теплових шумів і флуктуацій захоплення заряду. Визначено межові рівні еквівалентного шумового заряду в приладах для спектрометрії та дозиметрії gamma-випромінювання, де використовується CdTe (CdZnTe) детектори. Розроблено методику визначення параметрів переносу носіїв заряду в високоомних детекторах без порушення їх працездатності. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В381.54,022 + Шифр НБУВ: РА366406
Рубрики:
|
| | | | |
3. |
Долженкова О. Ф. Монокристали боратів: реальна структура та фізичні властивості: автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / О. Ф. Долженкова ; Ін-т електрофізики і радіац. технологій НАН України. — Х., 2010. — 32 с. — укp.Досліджено структурні особливості, оптичних і люмінесцентних параметрів, міцнісних характеристик монокристалів боратів острівного, ланцюжкового, шаруватого та каркасного типів. Встановлено системи спайності та переважного розповсюдження трішин. Вивчено природу руйнування та визначено слабкі місця в атомній будові монокристалів боратів різних структурних типів. Визначено системи ковзання в кристалах острівного та каркасного типів, встановлено кристалографічну природу пластичності. Показано, що механізм пластичної деформації за температур, які близькі до плавильних, дислокаційний. Визначено природу радіаційно-індукованих точкових дефектів в монокристалах боратів різних структурних типів. Розроблено моделі стабільних радіаційно-стимульованих електронних і дірочних центрів захоплення, а також моделі активаторних центрів, утворених рідкісноземельними елементами в решітках боратів. Запропоновано механізм створення стійких радіаційно-індукованих френкелівських пар у катіонній підрешітці. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + В379.251.4,022 + В381.54,022 Шифр НБУВ: РА376179 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|