1. |
Галюк О.В. Механізми дефектоутворення і фізико-хімічні властивості твердих розчинів у системах Pb - Sb(Bi) - Te, Pb - Sb(Bi) - Se, Sn - Sb(Bi) - Te: автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / О.В. Галюк ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2007. — 24 с. — укp.Для аргументованих моделей точкових дефектів у кристалах PbX (X = S, Se, Te) та SnTe на базі закону діючих мас і квазіхімічних реакцій одержано загальні аналітичні вирази для баричних і температурних залежностей концентрації точкових дефектів і носіїв струму та реалізації термодинамічного p - n-переходу за двотемпературного відпалу у парах халькогену. Розраховано нові й уточнено відомі константи рівноваги й ентальпії утворення точкових дефектів. Визначено домінуючі точкові дефекти у легованих кристалах PbTe, PdSe елементами V групи Періодичної системи, взаємопов'язані з заповненням катіонних або аніонних вакансій основної матриці. З використанням квазіхімічних рівнянь, кристалоквазіхічних формул і повного рівняння електронейтральності знайдено вирази для розрахунків залежностей концентрацій дефектів, вільних носіїв і холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легувальної домішки. Зроблено аналіз різних кристалохімічних механізмів утворення твердих розчинів у системах Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.7 + В372.3 + Шифр НБУВ: РА353930
Рубрики:
|