Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
1. | Штанько О.Д. Вплив дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах : автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.07 / О.Д. Штанько / Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. |
2. | РА313246 Сєліверстова С.Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.Р. Сєліверстова / Херсон. держ. техн. ун-т. — Херсон, 2000. — 17 с. |
3. | РА374896 Ластівка Г.І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на сонові моноселенідів індію та галію методом ЯКР : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Г.І. Ластівка / Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2010. — 20 с. |
4. | Хозя П.О. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / П.О. Хозя / Кременчуц. ун-т економіки, інформ. технологій і упр. — Кременчук, 2009. — 20 с. |
5. | РА310225 Даниленко С.Г. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.Г. Даниленко / НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2000. — 15 с. |
6. | Шуригін Ф.М. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ф.М. Шуригін / Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 2008. — 18 с. |
7. | Мазницька О.В. Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.В. Мазницька / Кременчуц. ун-т економіки, інформац. технологій і упр. — Кременчук, 2008. — 20 с. |