Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено сумісні технології формування локальних планарних "кремній-на-ізоляторі" (КНІ) структур методами мікрозони лазерної рекристалізації й оригінальні технологічні підходи формування локальних тривимірних КНІ-структур. Розроблено архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою КНІ для мікросистемних використань. Досліджено можливості використання приладних КНІ-структур для екстремальних умов експлуатації. Розроблено нові тривимірні КНІ елементи для побудови мікросистем, зокрема, контакти та міжз'єднання, ключові елементи на діодах Шоткі, КНІ МОН-транзистори, елементи матриць автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування з покращаними характеристиками на основі об'ємного кремнію.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

З'ясовано природу фотолюмінесценції (ФЛ) у видимій області спектра за кімнатної температури плівок нанокристалічного кремнію (ne-Si), одержаних імпульсним лазерним осадженням (ІЛО). Досліджено умови та розроблено способи формування з прямого та зворотного, високо- та низькоенергетичного потоків частинок ерозійного факелу ne-Si плівок з видимою ФЛ. Встановлено взаємозв'язки між спектрами ФЛ з часовим розділенням, структурними властивостями, спектрами електронних станів плівок. Показано, що природа видимої ФЛ даних плівок визначається ефектами розмірного квантування та діелектричного підсилення. Виявлено переважний механізм випромінювання (анігіляцію екситонів в Si НК). Встановлено, що інтенсивність ФЛ, її спектр поглинання та часи релаксації визначаються не лише параметрами випромінювального каналу рекомбінації, а в значній мірі ступенем пригнічення безвипромінювального каналу рекомбінації шляхом насичення обірваних зв'язків кремнію. З'ясовано механізм підвищення фотолюмінесцентних властивостей плівок під час легування золотом. Сформовано гетеропереходи нано-/монокристалічний кремній з фоточутливими та електролюмінесцентними властивостями. Запропоновано технологію формування емітерів електронів холодних катодів на основні наноструктурованого кремнію.

  Скачати повний текст

Наведено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Вивчено механізми переносу заряду у тонкоплівкових Au - CdTe діодах Шотткі на металевій підкладинці та CdS/CdTe гетероструктур на скляній підкладинці. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа - Нойса - Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Відзначено, що розходження експериментальної та теоретичної кривих за значних напруг зумовлене впливом надбар'єрного струму у межах дифузійного наближення. Проаналізовано значущість втрат, спричинених рекомбінацією в області просторового заряду та поверхневою рекомбінацією, на ефективність збирання заряду у фотовольтаїчній структурі, сформульовано вимоги до електропровідності матеріалу фотоперетворювача. Досліджено спектри чутливості фотовольтаїчних структур на основі CdTe. Проведено їх розрахунок на базі моделі, що враховує дрейфову та дифузійні складові струму, а також поверхневу рекомбінацію. Варіюванням параметрів матеріалу (концентрації некомпенсованих домішок і часу життя носіїв) пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодних структур різного типу.

  Скачати повний текст