Одержано математичні залежності для визначення питомого тиску, необхідного для вирівнювання пластин перед шліфуванням, що дало змогу одержати критичну область залежно від товщини та початкового прогину пластини, в якій не забезпечується повне вирівнювання. Наведено метод розрахунку розподілу залишкових напруг і деформацій напівпровідникової пластини, з використанням якого здійснено математичне моделювання процесу формоутворення пластин і обгрунтовано можливість контролю їх товщини у даному процесі. Розроблено шляхи розв'язання задач сполучення операцій формоутворення пластин і контролю їх товщини. Розвинуто ємнісний метод виміру товщини пластин, що дало змогу підвищити продуктивність технологічного процесу їх формоутворення. Створено засоби та розроблено комп'ютерну модель її автоматичного операційного контролю, проведено експериментальне дослідження з метою оптимізації параметрів системи цього контролю.

  Скачати повний текст

Розроблено спосіб виготовлення твердих поруватих джерел бору та досліджено процеси, що відбуваються під час їх створення. Виявлено залежність параметрів твердих планарних джерел бору від ступеня диспергування компонентів, способу формування та режимів спікання. З'ясовано оптимальну геометрію даних джерел бору на термостійких підкладках. Визначено коефіцієнти лінійного термічного розширення основних матеріалів дифузантів і алюмоборосилікатних сполук залежно від температури. Здійснено дослідження напруженого стану твердих планарних джерел у процесі тривалої експлуатації. Установлено залежність дифузійних параметрів джерел від часу та температури, за якої відбувається процес легування. Визначено зміни складу дифузанту у процесі тривалої експлуатації за методами рентгено-фазового та ізотермогравіметричного аналізів. Запропоновано механізм переносу оксидів легуючих домішок від джерела до пластини кремнію, що дозволяє оцінити дифузійні параметри джерел діаметрами 300 мм і більше.

  Скачати повний текст

Досліджено температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів HIH GaAs. Розглянуто вплив часу термообробки, а також часу охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією та структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлено вплив стехіометрії на електрофізичні властивості HIH GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Висвітлено перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їх щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p-n структур HIH GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання та структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом рідкофазної епітаксії, з використанням ізовалентного металу -розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

  Скачати повний текст

Створено фоточутливі гетероструктури, досліджено їх фізичні й оптичні властивості, показано можливість використання у фотовольтаїчних елементах і сонячних комірках. Розроблено висококонтрастні модулятори лазерного випромінювання на базі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів.

  Скачати повний текст